[发明专利]显示面板及其制造方法有效
申请号: | 200810178321.5 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101447459A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 当山忠久;尾崎刚 | 申请(专利权)人: | 卡西欧计算机株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陈建全 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示面板及其制造方法,尤其涉及具备将具有发光元件的多个显示元件排列而成的显示面板的显示面板、及该显示面板的制造方法。
背景技术
近年来,作为便携式电话或便携式音乐播放器等电子设备的显示器,已知有采用将自发光元件即有机电致发光元件(以下简称为“有机EL元件”)二维排列的显示面板(有机EL显示面板)的显示器。尤其在采用有源矩阵驱动方式的有机EL显示面板中,与广泛普及的液晶显示装置相比较,具有显示应答速度快、视野角依赖性也小等优良的显示特性,并且具有不像液晶显示装置那样需要背光灯或导光板的装置结构上的特征。因此,期待着今后在各种电子设备中的应用。
众所周知,有机EL元件大致具有在玻璃基板等的一面侧依次层叠阳极电极、有机EL层(发光层)、阴极电极的元件结构,通过对阳极电极施加正电压、对阴极电极施加负电压,使得有机EL层超过发光阈值,由此基于在有机EL层内注入的空穴和电子再结合时产生的能量来放射光(激发光)。
这里,已知有如下的底部放射型的发光结构:在玻璃基板的一面侧形成了有机EL元件(发光元件)的显示面板中,通过具有光透射性的电极材料来形成经由上述有机EL层对置形成的一对电极(阳极电极、阴极电极)中的任何一个,通过具有光反射性的电极材料来形成另一个,由此向玻璃基板的另一面侧放射光。
这里,在上述的制造方法中,在基板上的形成透明电极的区域,在形成透明电极之前除去沉积的层间绝缘膜等薄膜,然后形成透明电极。作为在基板上形成透明电极的工序之前进行的层间绝缘膜等薄膜的蚀刻工序,如果采用氧和SFO6的混合气体等进行干法蚀刻,则形成透明电极的区域上的玻璃基板也被蚀刻,因此玻璃基板的厚度变得不均匀。这样在将有机EL元件形成在厚度不均匀的基板上的显示面板中,在发光工作中,在从有机EL层经由基板放射光时,因基板厚度不均匀,产生光散射或光的干涉的不均匀,导致色偏或发光亮度(发光强度)的波动,存在产生图像污点或模糊等显示特性劣化的问题。
发明内容
因而,鉴于上述问题,本发明的目的在于提供一种可抑制色偏和发光亮度(发光强度)的波动、没有图像污点和模糊的、显示特性优良的显示面板及该显示面板的制造方法。
本发明的第1发明涉及一种显示面板的制造方法,所述显示面板具备由第一电极、至少由一层构成的载流子输送层、和第二电极层叠而成的发光元件,其中,该方法包括以下工序:在所述基板上的规定区域上形成所述第一电极的工序;在含有所述第一电极的所述基板上形成绝缘膜后,通过蚀刻将该绝缘膜图案化而形成只露出所述第一电极的规定区域的开口部的工序;至少在所述开口部露出的所述第一电极上形成所述载流子输送层的工序。
第2发明是在第1发明所述的显示面板的制造方法中,所述绝缘膜通过浸蚀基板的蚀刻气体进行图案化,所述绝缘膜是氮化硅或氧化硅。
第3发明是在第2发明所述的显示面板的制造方法中,所述蚀刻气体是氧和SFO6的混合气体。
第4发明是在第1发明至第3发明中任何一项所述的显示面板的制造方法中,形成有所述开口部的所述绝缘膜包含晶体管的栅极绝缘膜。
第5发明是在第4发明所述的显示面板的制造方法中,包括在形成所述第一电极的工序后,形成所述晶体管的源电极或漏电极中的任何一个的工序。
第6发明是在第1发明至第3发明中任何一项所述的显示面板的制造方法中,形成有所述开口部的所述绝缘膜包含层间绝缘膜。
第7发明是在第6发明所述的显示面板的制造方法中,包括在所述层间绝缘膜上通过将感光性树脂层图案化而形成堤(bank)的工序。
第8发明是在第7发明所述的显示面板的制造方法中,包括在形成堤的工序后,用纯水洗涤所述基板,并实施氧等离子体处理或UV臭氧处理,使所述第一电极表面相对于含有有机化合物的液体亲液化的工序。
第9发明是在第8发明所述的显示面板的制造方法中,包括在使所述第一电极亲液化的工序后,使所述堤的表面相对于所述含有有机化合物的液体疏液化的工序。
第10发明是在第9发明所述的显示面板的制造方法中,形成所述载流子输送层的工序是在使所述堤的表面疏液化的工序后,涂布所述含有有机化合物的液体来形成所述载流子输送层。
第11发明是在第10发明所述的显示面板的制造方法中,包括在形成所述载流子输送层的工序后,在所述载流子输送层上形成所述第二电极的工序。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造