[发明专利]制造电子装置的方法及电子装置

权利要求书

1.一种制造电子装置的方法，所述电子装置在设有薄膜晶体管的基 板上设置有抗蚀图，所述方法包括以下步骤：

在所述基板上通过涂敷形成处于覆盖所述薄膜晶体管的状态的抗蚀 膜；

通过对所述抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图；以及

在所述薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射的 条件下，在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图，

其中，在所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射之后实施热硬 化所述抗蚀图的步骤。

2.如权利要求1所述的制造电子装置的方法，其中，

在所述的形成所述抗蚀图的步骤以及所述的以至少紫外光和可见光 之一进行照射的步骤之间，实施对设有所述抗蚀图的所述基板进行干燥 处理的步骤。

3.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

在加热条件下实施所述的以至少紫外光和可见光之一进行照射的步 骤。

4.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

使用填充有干燥气体的气氛作为所述干燥气氛以实施所述的以至少 紫外光和可见光之一照射的步骤。

5.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，通 过适合于屏蔽波长短于260nm的光的滤光器对所述抗蚀图实施光照射， 从而所述沟道部不会受到波长短于260nm的光的照射。

6.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

所述薄膜晶体管是底栅型的；且

在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，波 长短于260nm的光被吸收入所述抗蚀图中，从而所述沟道部不会受到波 长短于260nm的光的照射。

7.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

所述薄膜晶体管是底栅型的；且

在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，以 来自基板侧的光实施照射，从而所述薄膜晶体管的栅极被用作所述沟道 部的遮光膜。

8.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，

其中在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤 中，适合于仅产生波长不小于260nm的光的光源被用作光源。

9.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

所述薄膜晶体管是底栅型的；

在所述的通过涂敷形成所述抗蚀膜的步骤之前，在所述薄膜晶体管 的所述沟道部上形成对波长短于260nm的光的遮光膜；且

在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，所 述遮光膜使所述沟道部免受波长短于260nm的光的照射。

10.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

使用正型抗蚀材料构成所述抗蚀图。

11.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

在所述的以至少紫外光和可见光之一照射所述抗蚀图的步骤中，以 可见光与紫外光一起照射所述抗蚀图。

12.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

在所述的热硬化所述抗蚀图的步骤之后，将像素电极形成于所述抗 蚀图上，以将所述电子装置制造为显示装置。

13.如权利要求1或2所述的制造电子装置的方法，其中，

P沟道型薄膜晶体管形成为所述薄膜晶体管。