[发明专利]制造电子装置的方法及电子装置

说明书

相关申请的交叉引用

本发明包含与2007年11月26日向日本专利局提交的日本专利申请JP 2007-304357相关的主题，将该申请的全部内容通过引用并入此处。

技术领域

本发明涉及一种制造电子装置的方法和一种电子装置。更具体地， 本发明涉及制造电子装置的方法及电子装置，所述电子装置例如是显示 装置，在所述电子装置中，在设有薄膜晶体管的基板上设置抗蚀图以作 为绝缘膜。

背景技术

例如在诸如液晶显示装置等薄型电子装置中，使用多个薄膜晶体管 的诸如像素电路及驱动电路的电子电路设置于基板上。在这样的电子装 置中，抗蚀图被用作覆盖薄膜晶体管的层间绝缘膜。在液晶显示装置中 例如使用正型抗蚀材料，所述正型抗蚀材料含有作为基本树脂的高度透 明的丙烯酸聚合物以及作为感光剂的重氮化合物。

抗蚀图按如下步骤形成。首先，未硬化的抗蚀膜通过涂敷形成于基 板上，并对未硬化的抗蚀膜进行曝光和显影处理以形成抗蚀图。然后， 进一步对抗蚀图进行热硬化。在所述热硬化中，例如在上述正型抗蚀剂 含有作为感光剂的重氮化合物的情况下，以波长达到320nm的紫外光进 行照射导致处理时间的显著缩短(参见日本专利公开公报No.平5-26189)。

另外，作为增强抗蚀膜在热硬化后的耐热性的手段，例如，一种在 热硬化时以含有紫外线的光实施照射的方法(参见日本专利公报 No.3356115)已被提出。而且，还提出了一种在降低的压力下以高能量辐 射实施照射并接着实施热硬化的方法。据称，按照此步骤，避免了作为 感光剂的重氮化合物转化为羧酸的同时进行交联反应，从而获得了致密 且表现出耐热性和耐化学性得到增强的抗蚀图(参见日本专利申请公开 公报No.2004-309955)。

然而已发现，在上述制造方法中，如图25所示，在抗蚀图的硬化处 理期间用紫外光照射薄膜晶体管的沟道部会引起薄膜晶体管、尤其是P 沟道型薄膜晶体管的特性的恶化。而且，如图26中所示，与不用紫外光 照射所得到的特性相比，薄膜晶体管的特性的恶化随着照射能量变高而 变得严重。

发明内容

鉴于上述问题，需要一种电子装置的制造方法以及一种电子装置， 其中对抗蚀图加以硬化的同时可保持其刚光刻后的形状，而不降低覆盖 有抗蚀图的薄膜晶体管的特性。

根据本发明的一个实施例，提供了一种制造电子装置的方法，该电 子装置在设有薄膜晶体管的基板上设置有抗蚀图，该方法实施如下：首 先，通过涂敷在所述基板上形成抗蚀膜以处于覆盖所述薄膜晶体管的状 态。接下来，对抗蚀膜进行曝光和显影处理，从而形成抗蚀图。然后， 对设有抗蚀图的基板进行干燥处理。随后，对已经过干燥处理的抗蚀图 在干燥气氛中以至少紫外光和可见光之一进行照射。在此实例中，实施 光照射的条件是薄膜晶体管的沟道部不会受到波长短于260nm的光的照 射。然后，对抗蚀图进行热硬化。

在如上所述的方法中，在热硬化通过曝光和显影所形成的抗蚀图的 步骤之前，执行在填充有干燥气体的气氛中以至少紫外光和可见光之一 进行照射的步骤。这确保可以避免在后续的热硬化期间抗蚀材料的回流， 且抗蚀图的表面形状保持在通过曝光和显影被图形化后的形状。而且， 在以至少紫外光和可见光之一进行照射的步骤中，薄膜晶体管的沟道部 可以免受波长短于260nm的光的照射。因此，由于以短波长的光照射沟道 部而引起的薄膜晶体管的特性的恶化，尤其是P型薄膜晶体管P-Tr的特性 的恶化可免于发生。

而且，根据本发明的另一实施例，提供了一种适用于根据本发明的 一个实施例的上述制造方法的电子装置的配置。在该电子装置中，薄膜 晶体管属于底栅型，且为P沟道型，其中至少在所述P沟道型薄膜晶体管 的沟道部上设有用于隔断波长短于260nm的光的照射的遮光膜，使得在对 抗蚀图加以硬化时不降低覆盖有抗蚀图的薄膜晶体管的特性，从而在该 电子装置的制造过程中，以至少紫外光和可见光之一进行照射抗蚀图的 步骤中，薄膜晶体管的沟道部可以免受波长短于260nm的光的照射。

根据本发明的上述实施例，可以获得具有高耐热性的抗蚀图的液晶 显示装置，该抗蚀图在被牢固地硬化的同时可以保持其刚光刻后的形状， 而覆盖有抗蚀图的薄膜晶体管的特性并无恶化。

附图说明

图1A到1C是图示根据第一至第四实施例的制造方法的截面步骤图；