[发明专利]像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法

权利要求书

1.一种像素结构的制造方法，包含：

(a)提供一基板，且其上具有至少一晶体管区、至少一电容区与至少一像素区；

(b)分别形成至少一晶体管于该晶体管区上与至少一电容电极于该电容区上，其中该电容电极被一介电层所覆盖；

(c)形成一彩色滤光层于该晶体管区上、该像素区上及该电容区上，并覆盖该晶体管及部分该电容电极，其中，该彩色滤光层具有至少一第一开口及至少一第二开口，该第一开口对应于该晶体管的一源/漏极，该第二开口对应于该电容电极；

(d)共形地形成一保护层于该彩色滤光层的表面上；

(e)形成一图案化光致抗蚀剂层于该保护层上，且该图案化光致抗蚀剂层具有一第一部分、一第二部分以及一第三部分，该第一部分的厚度小于第二部分的厚度，且该第二部分的厚度小于第三部分的厚度，其中该第一部分覆盖该第一开口底部的该保护层上，该第三部分覆盖部分该晶体管上方的该保护层上，该第二部分覆盖于该像素区上方的该保护层上、于另一部分该晶体管上方的该保护层上及于部分该电容区上方的该保护层上；

(f)移除该第一开口底部的该第一部分及该第一开口底部下方的该保护层，以暴露出该晶体管的部分该源/漏极；

(g)移除该图案化光致抗蚀剂层的该第二部分及部分该第三部分，以使得位于部分该晶体管上方的该第三部分成为较第三部分厚度较薄的一第四部分，并暴露出像素区上的该保护层、部分晶体管区上方的该保护层、该第二开口处的该保护层及该电容区上方的该保护层；

(h)共形地覆盖一导电层于该第四部分上、该第一开口、该第二开口、该像素区上方的该保护层上及部分该电容区上方的该保护层上；

(i)移除该图案化光致抗蚀剂层的该第四部分及位于该第四部分上方的该导电层以定义出一像素电极，其中该像素电极于该第二开口处与该电容电极构成一存储电容，且该导电层与暴露出的该源/漏极连接。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中，

于该步骤(a)时，该基板还包含至少一接触垫区；

于该步骤(b)时，还包含形成至少一接触垫于该接触垫区上，其中该接触垫被该介电层所覆盖；

于该步骤(d)时，该保护层还覆盖于该接触垫上；

于该步骤(e)时，该图案化光致抗蚀剂层还具有至少一暴露出该接触垫上方的部分该保护层的第一开口，且该图案化光致抗蚀剂层的该第三部分覆盖该接触垫周围上方的该保护层，

于该步骤(f)时，还移除该被暴露出该接触垫上方的该保护层与该介电层，以暴露该接触垫；

于该步骤(g)时，位于部分该接触垫周围上方的该第三部分更成为较第三部分厚度较薄的该第四部分；

于该步骤(h)时，该导电层更形成于部分该接触垫周围上方的该第四部分上；

于该步骤(i)，还移除位于该接触垫周围上方的该第四部分及位于该第四部分上方的该导电层，以定义出一接触电极。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中，该第二部分还覆盖于该第一开口的侧边上、该第二开口的侧边上与该第二开口的底部上。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中，第一部分还覆盖于该第二开口的底部上，且该第二部分还覆盖于该第二开口的侧边上及该第一开口的侧边上。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中，

于该步骤(f)时，还移除该第二开口底部的该第一部分及该第二开口底部下方的该保护层，以暴露出该第二开口下方的该介电层。

6.如权利要求1所述的制造方法，其中，该图案化光致抗蚀剂层还包含多个突出部位于该像素区上方的该第二部分上，且通过该第二部分连接。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中，

于该步骤(g)时，所述突出部形成底部不相连的岛状部；

于该步骤(h)时，该导电层还共形地覆盖于该像素区上方的该岛状部上；以及

于该步骤(i)时，还移除该岛状部及该岛状部上方的该导电层，以便于该像素电极中定义出多个狭缝。

8.一种显示面板的制造方法，包含如权利要求1所述的像素结构的制造方法。

9.一种光电装置的制造方法，包含如权利要求8所述的显示面板的制造方法。