[发明专利]像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法有效
申请号: | 200810178695.7 | 申请日: | 2008-12-02 |
公开(公告)号: | CN101409263A | 公开(公告)日: | 2009-04-15 |
发明(设计)人: | 曾贤楷;廖金阅;陈建宏 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 陈 晨;张浴月 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 结构 显示 面板 以及 光电 装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种像素结构、显示面板以及光电装置的制造方法,且特别涉及一种可减少光掩模数的像素结构的制造方法及具有上述像素结构的显示面板与光电装置的制造方法。
背景技术
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点,因此已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)成为新一代显示器的主流。目前市场对于薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)皆朝向高对比(contrast ratio)、无灰阶反转(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色饱和度(color saturation)、快速反应(response)以及广视角(viewing angle)等方向发展。目前常见的广视角技术包括:扭转向列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plane Switching,IPS)液晶显示器、边际场切换式(Fringe Field Switching,FFS)液晶显示器与多域垂直配向(Multi-domain Vertical Alignment,MVA)液晶显示器。
传统的液晶显示面板是由一具有彩色滤光层的彩色滤光基板、一薄膜晶体管阵列基板(TFT Array Substrate)以及一配置于此两基板间的液晶层所构成。为了提升面板的解析度与像素的开口率,并且避免彩色滤光基板与薄膜晶体管阵列基板接合时的对位误差,现今更提出了将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array,COA)上的技术。
在公知技术中,将彩色滤光层制作于薄膜晶体管阵列上的制作方法至少需通过七道光掩模工艺来进行制作,其中彩色滤光图案需经由三道光掩模工艺来进行制作,因此步骤繁复而需花费较高的生产成本。此外,上述需要至少七道光掩模工艺来进行制作的像素结构需采用多个具有不同图案的光掩模(mask),由于光掩模的造价十分昂贵,因此像素结构的制造成本将无法降低,且由于光掩模数较多,使得产能无法地有效提升。
发明内容
本发明提供一种像素结构的制造方法,其可减少光掩模数以有效地提升产能。
本发明提供一种显示面板的制造方法,以制作出具有上述的像素结构的显示面板。
本发明提供一种光电装置的制造方法,以制作出具有上述的像素结构的光电装置。
本发明提出一种像素结构的制造方法,其包括下列步骤。(a)提供一基板,基板上具有至少一晶体管区、至少一电容区与至少一像素区。(b)分别形成至少一晶体管于晶体管区上与至少一电容电极于电容区上,其中电容电极被一介电层所覆盖。(c)形成一彩色滤光层于晶体管区上、像素区上及电容区上,并覆盖晶体管及部分电容电极。彩色滤光层具有至少一第一开口及至少一第二开口,第一开口对应于晶体管的一源/漏极,而第二开口对应于电容电极。(d)共形地形成一保护层于彩色滤光层的表面上。(e)形成一图案化光致抗蚀剂层于保护层上,且图案化光致抗蚀剂层具有一第一部分、一第二部分以及一第三部分。第一部分的厚度小于第二部分的厚度,且第二部分的厚度小于第三部分的厚度,其中第一部分覆盖第一开口底部的保护层上,第三部分覆盖部分晶体管上方的保护层上,第二部分覆盖于像素区上方的保护层上、于另一部分晶体管上方的保护层上及于部分电容区上方的保护层上。(f)移除第一开口底部的第一部分及第一开口底部下方的保护层,以暴露出晶体管的部分源/漏极。(g)移除图案化光致抗蚀剂层的第二部分及部分第三部分,以使得位于部分晶体管上方的第三部分成为较第三部分厚度较薄的一第四部分,并暴露出像素区上的保护层、部分晶体管区上方的保护层、第二开口处的保护层及电容区上方的保护层。(h)共形地覆盖一导电层于该第四部分上、该第一开口、该第二开口、该像素区上方的该保护层上及部分该电容区上方的该保护层上。(i)移除图案化光致抗蚀剂层的第四部分及位于第四部分上方的该导电层以定义出一像素电极,其中像素电极于第二开口处与电容电极构成一存储电容,且导电层与暴露出的源/漏极连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造