[发明专利]发光二极管封装及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管封装，其特征是包括：

承载器，具有相对的第一表面与第二表面，且所述承载器具有相隔间隙的第一电极与第二电极；

封装壳体，设置于所述承载器上，所述封装壳体具有相对的第一开口与第二开口，所述第一开口暴露出所述第一表面，所述第二开口暴露出所述第二表面；

补强体，设置于所述承载器上且位于所述间隙处；

静电放电防护元件，设置于所述承载器上且位于所述第二开口内，而所述静电放电防护元件与所述承载器电连接；以及

发光二极管芯片，设置于所述承载器上且位于所述第一开口内，而所述发光二极管芯片与所述承载器电连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述补强体设置于所述承载器的所述第二表面。

3.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述补强体与所述封装壳体为一体成型的结构。

4.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述补强体的厚度为不低于0.25μm。

5.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括至少一条引线，所述静电放电防护元件通过所述引线而与所述承载器电连接。

6.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括多个凸块，所述静电放电防护元件通过所述凸块而与所述承载器电连接。

7.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述静电放电防护元件为齐纳二极管芯片、红光发光二极管芯片、表面粘着型齐纳二极管封装、表面粘着型红光发光二极管封装、电容器、变阻器或突波吸收器。

8.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述承载器为导线架。

9.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括至少一条引线，所述发光二极管芯片通过所述引线而与所述承载器电连接。

10.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括多个凸块，所述发光二极管芯片通过所述凸块而与所述承载器电连接。

11.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括胶体，所述胶体包覆所述发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的所述承载器。

12.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是还包括掺杂荧光粉的胶体，包覆所述发光二极管芯片与由所述第一开口所暴露的所述承载器。

13.根据权利要求1所述的发光二极管封装，其特征是所述封装壳体的材料为塑料、金属或金属氧化物。

14.一种发光二极管封装的制造方法，其特征是包括：

提供承载器，所述承载器具有相对的第一表面与第二表面，且所述承载器具有相隔间隙的第一电极与第二电极；

形成与所述承载器接合的封装壳体，所述封装壳体具有相对的第一开口与第二开口，所述第一开口暴露出所述第一表面，所述第二开口暴露出所述第二表面；

在所述承载器上且位于所述间隙处形成补强体；

将静电放电防护元件设置于由所述第二开口所暴露的所述承载器上、且电连接所述静电放电防护元件与所述承载器；以及

将发光二极管芯片设置于由所述第一开口所暴露的所述承载器上、且电连接所述发光二极管芯片与所述承载器。

15.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述补强体形成于所述承载器的所述第二表面。

16.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述补强体与所述封装壳体为一体成型。

17.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述补强体的厚度为不低于0.25μm。

18.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述静电放电防护元件是通过表面粘着技术而设置于所述承载器上、且电连接至所述承载器。

19.根据权利要求14所述的发光二极管封装的制造方法，其特征是所述静电放电防护元件是通过芯片倒装焊接技术而设置于所述承载器上、且电连接至所述承载器。