[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括其上形成器件的单元区、在单元区 周围的周边区以及在单元区和周边区之间的界面区；

在所述半导体衬底的所述界面区中形成的器件隔离层图案；

在所述半导体衬底的单元区中的浮置栅极图案；

从所述浮置栅极图案延伸到所述单元区周围的所述界面区中并形成在 所述器件隔离层图案上的虚拟浮置栅极图案；和

在所述半导体衬底的所述单元区中形成在所述浮置栅极图案上并与所 述浮置栅极图案交叉的控制栅极图案，其中所述控制栅极图案不形成在所 述虚拟浮置栅极图案上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括在所述浮置栅极图案和所 述虚拟浮置栅极图案上的介电层。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述浮置栅极图案和所述虚 拟浮置栅极图案是同一层的部分。

4.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

形成半导体衬底，所述半导体衬底包括其上形成器件的单元区、在单 元区周围的周边区以及在单元区和周边区之间的界面区；

在所述半导体衬底的所述界面区中形成器件隔离层图案；

在所述半导体衬底的单元区中形成浮置栅极图案；

形成虚拟浮置栅极图案，所述虚拟浮置栅极图案从所述浮置栅极图案 延伸到所述单元区周围的所述界面区并形成在所述器件隔离层图案上；和

在所述半导体衬底的所述单元区中形成控制栅极图案，所述控制栅极 图案形成在所述浮置栅极图案上并与所述浮置栅极图案交叉，其中所述控 制栅极图案不形成在所述虚拟浮置栅极图案上。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述控制栅极图案的形成包括：

在具有所述浮置栅极图案和所述虚拟浮置栅极图案的所述半导体衬底 上依次形成多晶硅层、抗反射层和光刻胶层；和

对所述光刻胶层进行选择性曝光并然后显影以形成光刻胶图案，并且 使用所述光刻胶图案作为掩模图案化所述抗反射层和所述多晶硅层。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述抗反射层的形成包括旋涂法。

7.根据权利要求4所述的方法，还包括：

在所述界面区的所述半导体衬底中形成具有预定深度的沟槽；和

在所述沟槽中形成所述器件隔离层。

8.根据权利要求4所述的方法，还包括在所述虚拟浮置栅极图案和所述浮 置栅极图案上形成电介质层。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括其上形成器件的单元区、在单元区 周围的周边区以及在单元区和周边区之间的界面区；

在所述半导体衬底的所述界面区中形成的器件隔离层图案；

在所述半导体衬底的单元区中在第一方向上伸长的浮置栅极图案；

在所述半导体衬底的所述单元区中处于垂直于所述第一方向的第二方 向的形成在所述浮置栅极图案上并与所述浮置栅极图案交叉的控制栅极 图案；和

在所述单元区周围的所述界面区上的处于所述第二方向并与所述浮置 栅极图案的一个末端间隔开以及形成在所述器件隔离层图案上的虚拟浮 置栅极图案，其中所述控制栅极图案不形成在所述虚拟浮置栅极图案上。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中所述虚拟浮置栅极图案和所 述控制栅极图案具有相同的长度。