[发明专利]图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成具有金属线的层间绝缘膜；

在包括所述金属线和所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方形成下部电极层；

在所述下部电极层上方形成暴露部分所述层间绝缘膜的光刻胶图样；

使用所述光刻胶图样作为掩膜通过刻蚀工艺来形成电连接至所述金属线的下部电极；

通过使用第一物质实施第一处理来去除由于形成所述下部电极而产生的光刻胶聚合物；以及然后

通过使用第二物质实施第二处理来去除由于形成所述下部电极而产生的电极聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法，在去除所述电极聚合物后，进一步包括：

在所述层间绝缘膜的所述暴露部分以及所述下部电极上方形成光电二极管，并且所述光电二极管与所述暴露部分和所述下部电极接触。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述下部电极包括铬材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述电极聚合物包括铬基(Cr_xO_yN_z)残留物。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述铬基残留物包括氮氧化铬。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，通过湿法刻蚀所述下部电极层来形成所述下部电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述湿法刻蚀使用硝酸铈铵。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一处理使用硫酸(H₂SO₄)来去除所述光刻胶聚合物。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二处理使用三甲基-乙氧基-氢氧化铵来去除所述电极聚合物。

10.一种方法，包括：

在半导体衬底上方形成具有金属线的层间绝缘膜；

在包括所述金属线和所述层间绝缘膜的所述半导体衬底上方形成金属层；

在所述下部电极层上方形成光刻胶图样；

使用所述光刻胶图样作为掩膜，通过在所述金属层上实施刻蚀工艺来形成隔离开的并与所述金属线电连接的下部电极；以及然后

使用酸性溶液和碱性溶液中的至少一种通过泽塔势能来去除光刻胶聚合物和电极聚合物，所述光刻胶聚合物和所述电极聚合物是由所述下部电极的形成而产生的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述层间绝缘膜和所述下部电极具有正电荷，而所述光刻胶和所述电极聚合物具有负电荷。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述酸性溶液包括含有M_xC_y-H的化学制品。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述碱性溶液包括含有M_xH_yN_z-OH的化学制品。

14.根据权利要求11所述的方法，在去除所述聚合物之后，进一步包括：

实施洗涤工艺。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，在有二氧化碳CO₂和去离子水的情况下实施所述洗涤工艺。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述金属层包括铬。