[发明专利]图像传感器的制造方法

说明书

本申请要求第10-2007-0139444号(于2007年12月27日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种图像传感器的制造方法

背景技术

图像传感器是一种将光学图像转换为电信号的半导体器件。可以将图像传感器主要分类为电荷耦合器件(CCD)图像传感器或CMOS(Complementary Metal Oxide Silicon)(互补金属氧化硅)图像传感器(CIS)。CMOS图像传感器具有在单位像素中形成的光电二极管和MOS晶体管以通过开关方法(switching method)来顺序检测每个单位像素的电学信号，从而实现图像。该CMOS图像传感器具有一种结构，在该结构中将光信号转换为电信号的光电二极管区设置在半导体衬底上，该光电二极管区平行于处理电信号的晶体管区。根据横向CMOS图像传感器(lateral CMOS image sensor)，在衬底上形成彼此相邻的光电二极管和晶体管，其中横向CMOS图像传感器是CMOS图像传感器各种类型中的一种。然而，这种结构需要用于形成光电二极管的额外区域。

发明内容

本发明实施例涉及一种图像传感器的制造方法，该制造方法提供了CMOS电路和光电二极管的垂直集成。

本发明实施例涉及一种图像传感器的制造方法，该制造方法最大化了分辨率和灵敏度。

本发明实施例涉及一种图像传感器的制造方法，该制造方法使用了垂直型光电二极管，并且防止了串扰(crosstalk)和噪声现象。

本发明实施例涉及一种方法，该方法可以包括以下之中的至少之一：在半导体衬底上方形成具有金属线的层间绝缘膜；在包括金属线和层间绝缘膜的半导体衬底的上方形成下部电极层；在下部电极层的上方形成光刻胶图样，该光刻胶图样暴露部分层间绝缘膜；使用光刻胶图样作为掩膜，通过刻蚀工艺形成与金属线电连接的下部电极；使用第一物质通过实施第一处理(primary treatment)来去除由于形成下部电极而产生的光刻胶聚合物；以及然后使用第二物质通过实施第二处理(secondary treatment)来去除由于形成下部电极而产生的电极聚合物。

本发明实施例涉及一种方法，该方法可以包括以下之中的至少之一：在半导体衬底的上方形成具有金属线的层间绝缘膜；在包括金属线和层间绝缘膜的半导体衬底的上方形成金属层；在下部电极层的上方形成光刻胶图样；使用光刻胶图样作为掩膜，通过在金属层上实施刻蚀工艺来形成隔离开的并且与金属线电连接的下部电极；以及然后使用酸性溶液和碱性溶液中的至少一种，通过泽塔势能(zeta potential)来去除由于形成下部电极而产生的光刻胶聚合物和电极聚合物。

本发明实施例涉及一种方法，该方法可以包括以下之中的至少之一：在半导体衬底上方形成氧化膜和氮化膜中的一种，其中在氧化膜和氮化膜中的上述一种中具有金属线；在包括金属线以及氧化膜和氮化膜中的上述一种的半导体衬底的上方形成金属层；在金属层上方形成光刻胶图样，该光刻胶图样暴露了氧化膜和氮化膜中的上述一种的一部分；使用光刻胶图样作为掩膜，通过在金属层上实施刻蚀工艺来在氧化膜和氮化膜中的上述一种的上方形成隔离开的并与金属线电连接的下部电极；使用第一清洗物质(first cleaningsubstance)实施第一清洗工艺以去除由于形成下部电极而产生的光刻胶聚合物；使用不同于第一清洗物质的第二清洗物质实施第二清洗工艺以去除由于形成下部电极而产生的电极聚合物；以及然后，在氧化膜和氮化膜中的上述一种的暴露部分以及下部电极上方形成光电二极管，并且光电二极管接触该暴露部分和下部电极。

附图说明

实例图1到图11示出了用于解释根据本发明实施例制造图像传感器的方法的横截面图。

具体实施方式

所属领域的技术人员应了解，为了便于解释和清楚，在附图中放大，省略，或者大致示出了各层的厚度或尺寸。各个元件的尺寸也不会总是反映实际尺寸。