[发明专利]半导体晶圆的保护带切断方法和保护带切断装置有效
申请号: | 200810179034.6 | 申请日: | 2008-11-25 |
公开(公告)号: | CN101447407A | 公开(公告)日: | 2009-06-03 |
发明(设计)人: | 山本雅之;长谷幸敏;金岛安治 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;B26D5/08;B26D1/25;B26F1/38 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 保护 切断 方法 装置 | ||
1.一种半导体晶圆的保护带切断方法,使切刀沿着形成有 定位用的V形凹口的半导体晶圆的外周相对移动,沿着晶圆外 形切下粘贴在半导体晶圆表面上的保护带,上述方法包括以下 过程:
前一半切入过程:切刀在从V形凹口向周向错开的位置刺 入保护带,使切刀相对于半导体晶圆的外周一边沿一定方向移 动一边使切刀的侧面沿着V形凹口的从V形凹口的一开口端朝 着V形凹口深部去的斜边进行移动;
拔出过程:将在上述前一半切入过程中切入的切刀从V形 凹口暂时拔出;
后一半切入过程:使从V形凹口暂时拔出而后退到插入初 始位置的切刀相对于半导体晶圆的外周一边向反方向移动一边 从V形凹口的另一开口端朝着V形凹口深部移动。
2.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保护带切断方法,
上述切刀是双刃切刀。
3.根据权利要求2所述的半导体晶圆的保护带切断方法, 上述方法还包括以下过程:
使双刃切刀相对于半导体晶圆的外周一边向一方向移动一 边从V形凹口的一开口端朝着V形凹口深部移动的前一半切入 过程;
在切刀的刃即将与上述V形凹口的最深部接触时沿着切断 完毕的去路后退到开始切断位置的后退过程;
从上述初始位置改变切刀的切入角度,使切刀相对于半导 体晶圆的外周向反方向移动来切断保护带,使切刀从V形凹口 的另一开口端朝着V形凹口深部移动的后一半切入过程。
4.根据权利要求1所述的半导体晶圆的保护带切断方法,
在预先取得V形凹口的位置信息之后,进行保护带的切断, 取得保护带切断后的V形凹口的深处的切断状态。
5.根据权利要求4所述的半导体晶圆的保护带切断方法,
在保护带切断后取得的V形凹口的深处的切断状态下,在 无法确认V形凹口深部的保护带的切断部位的切断、相连时, 再次进行V形凹口部分的切断。
6.一种半导体晶圆的保护带切断装置,使切刀沿着形成有 定位用的V形凹口的半导体晶圆的外周相对移动,沿着晶圆外 形切下粘贴在半导体晶圆表面贴上的保护带,其中,该装置包 括以下构件:
使切刀相对于上述半导体晶圆的外周向正方向和反方向相 对移动的切刀移动部件、
对切刀相对于上述半导体晶圆的外周的切入姿势进行正反 转换的姿势转换部件、
以及控制装置,该控制装置在切断上述半导体晶圆的上述 V形凹口部分的过程中,操作上述姿势转换部件而对切入姿势 进行正反转换控制,以使切刀的侧面沿着V形凹口的从V形凹口 的开口端朝着V形凹口深部去的斜边。
7.根据权利要求6所述的半导体晶圆的保护带切断装置, 上述装置还包括以下构件:
光学部件,其用于在切断上述保护带之前取得V形凹口的 位置信息,并用于取得保护带切断后的V形凹口深部的切断状 态;
上述控制装置基于由光学部件所取得的位置信息,控制切 刀的移动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造