[发明专利]半导体晶圆的保护带切断方法和保护带切断装置

说明书

技术领域

本发明涉及用于使切刀沿着半导体晶圆的外周相对于半 导体晶圆进行相对移动，从而切断被粘贴在半导体晶圆表面 上的保护带的半导体晶圆的保护带切断方法和保护带切断装 置。

背景技术

作为上述保护带的切断方法，使切刀沿着在外周具有定位 用的凹口的半导体晶圆的外周进行相对移动。此时，如下所述 那样切断V形状的凹口部分的带。使切刀通过凹口的前半部分 时，使其刀尖朝着晶圆中心地使切刀转动。使切刀通过凹口的 后半部分时，使其刀尖朝着晶圆外周地使切刀转动(参照日本 特开2006-15453号公报)。

根据上述保护带的切断方法，保护带不会露出很多地残留 在凹口的内部，因此与在凹口内存在残留的保护带的情况相比， 有效地抑制粉尘附着。不过，在切刀一边在凹口的前半部分沿 着斜边来进行带的切断，一边到达其深部，在之后的凹口的后 半部分的带切断过程中，切刀的刀尖相对于凹口内缘的切入角 度接近于直角。因此，发生刀尖切入凹口内缘而损伤半导体晶 圆，或刀尖提前损耗这样的问题。特别是，在为近年的被薄型 化而降低了刚性的半导体晶圆时，更容易发生由于切刀的接触 或切入所导致的凹口形成部位处的破损。

发明内容

本发明目的在于提供一种半导体晶圆的保护带切断方法和 保护带切断装置，该半导体晶圆的保护带切断方法和保护带切 断装置在形成有凹口的半导体晶圆的保护带切断处理中，能抑 制半导体晶圆的损伤和刀尖的提前损耗，可沿着凹口形状切断 保护带。

为了达到这样的目的，本发明采用如下技术方案。

一种半导体晶圆的保护带切断方法，使切刀沿着形成有定 位用的凹口的半导体晶圆的外周进行相对移动，沿着晶圆外形 切断粘贴在半导体晶圆表面上的保护带，

在切断上述半导体晶圆的凹口部分的保护带的过程中，使 切刀的侧面一边沿着从开口端朝着凹口深部去的斜边一边切断 上述保护带。

根据本发明的半导体晶圆的保护带切断方法，从凹口部分 的开口端切断朝着深处的斜边时，切刀的侧面沿着该斜边切断 保护带，因此刀尖不会与斜边成锐角。因此，刀尖不会接触斜 边或切入斜边，因此既不会使被薄型化的半导体晶圆破损，刀 尖也不会提前损耗。

另外，在上述方法中，优选如下所述这样切断保护带。

例如，使切刀相对于半导体晶圆的外周一边沿一定方向移 动一边从凹口的一开口端朝着凹口深部移动，

将在上述过程中切入的切刀从凹口暂时拔出，

使从凹口暂时拔出而后退到刺入初始位置的切刀相对于半 导体晶圆的外周一边向反方向移动一边从凹口的另一开口端朝 着凹口深部移动。

根据该方法，首先，切刀在晶圆外周的规定位置刺入保护 带，以相对于晶圆外周的小的切入角的规定的倾斜姿势相对于 晶圆外周向正向移动。

切刀到达凹口时，切刀从凹口的一开口端进入到凹口深部， 使侧面沿着斜边切入保护带，切刀到达凹口的将近最深部时， 切刀暂时从凹口拔出。

从凹口被拔出的切刀向相对于晶圆外周的反方向移动，切 刀转换成相对于晶圆外周小的切入角的姿势。在最初的开始切 断位置附近再次刺入保护带，一边相对于晶圆外周向反方向移 动一边沿着晶圆外周切断保护带。

切刀到达到凹口时，切刀从凹口的另一开口端进入到凹口 深部而使侧面沿着斜边切入保护带，通过将该切入与在前一半 的带切入相连，完成沿着凹口形状的保护带的切断。即，能较 佳地实施上述发明方法。

作为另一例子，使双刃切刀相对于半导体晶圆的外周一边 向一方向移动一边从凹口的一开口端向凹口深部移动，

使切刀从上述凹口深部的跟前沿着切断完毕的去路后退到 开始切断位置，

从上述初始位置改变切刀的切入角度，使切刀相对于半导 体晶圆的外周向反方向移动来切断保护带，使切刀从凹口的另 一开口端向凹口深部移动。

根据该方法，在凹口的前一半切入过程中，可使用切刀的 一刀尖，在后一半的切入过程中使用切刀的另一刀尖。此时， 例如，切刀与晶圆外周的切入角度为30°时，从前一半切入过 程转移到后一半切入过程时的切刀的姿势转换角度通过60° 的转动就足够。也就是说，通过转动60°，另一刀尖朝着晶圆 外周的切线方向。例如，使用单刃的切刀而与上述同样地以切 入角度30°进行姿势转换就必须使切刀进行120°角度改变。