[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一电路；

一第一封环，环绕该第一电路；以及

至少一第一缺口，切开该第一封环，其中该第一缺口呈Z字形，该第一缺口包含：

一内开口，位于该第一封环内侧；

一外开口，位于该第一封环外侧；以及

一连接沟，连接该内开口与该外开口。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在在于，还包含：

一第二电路，与该第一电路分开设置，且该第二电路亦为该第一封环所环绕，其中该第一缺口的数量为多个，且该多个第一缺口将该第一封环区分为靠近该第一电路的一第一部分，以及靠近该第二电路的一第二部分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在在于，还包含：

一第二封环，环绕该第一封环；以及

至少一第二缺口，切开该第二封环，其中该第二缺口与该第一缺口并未对齐。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在在于，该第二缺口呈Z字形。

5.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一第一电路；

一第一封环，环绕该第一电路；以及

至少一第一缺口，切开该第一封环，其中该第一缺口包含：

一内开口，位于该第一封环内侧；

一外开口，位于该第一封环外侧，其中该外开口与该内开口并未对齐；以及

一连接沟，连接该内开口与该外开口。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在在于，还更包含：

一第二电路，与该第一电路分开设置，且该第二电路亦为该第一封环所环绕，其中该第一缺口的数量为多个，且该多个第一缺口将该第一封环区分为靠近该第一电路的一第一部分，以及靠近该第二电路的一第二部分。

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在在于，还包含：

一第二封环，环绕该第一封环；以及

至少一第二缺口，切开该第二封环，其中该第二缺口与该第一缺口并未对齐。

8.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一基底；

多个介电层，形成于该基底上；

一第一电路；

一第一封环，环绕该第一电路，且该第一封环嵌于该多个介电层中；以及

至少一第一缺口，切开该第一封环，其中该第一缺口包含：

一内开口，位于该第一封环内侧；

一外开口，位于该第一封环外侧，其中该外开口与该内开口沿着该第一封环的环绕方向分开设置；以及

一连接沟，连接该内开口与该外开口。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在在于，还包含：

一第二电路，与该第一电路分开设置，且该第二电路亦为该第一封环所环绕，其中该第一缺口的数量为多个，且该多个第一缺口将该第一封环区分为靠近该第一电路的一第一部分，以及靠近该第二电路的一第二部分。

10.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在在于，还包含：

一第二封环，环绕该第一封环，且该第二封环亦嵌于该多个介电层中；以及

至少一第二缺口，切开该第二封环，其中该第二缺口与该第一缺口并未对齐。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其特征在在于，该第一封环包含：

一有源区，形成于该基底中；

一金属层，形成于该多个介电层其中之一，且该多个介电层其中的另一个介于该金属层与该有源区之间；以及

至少一金属插塞，介于该金属层与该有源区之间。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在在于，该金属插塞包含：

多个线接触，彼此分开设置。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其特征在在于，该金属插塞包含：

多个方接触，介于该多个线接触之间。