[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明是有关于一种主动固态元件，且特别是有关于一种位于半导体上的多层金属层。

背景技术

在电子业里，集成电路系指一种微小化的电子电路，其主要包括半导体元件，有时也包括被动元件。一般而言，这种电子电路大都被制造在半导体基材的表面里。由于集成电路具有低成本与高效能的优势，因此自从1950年代，德州仪器公司(Texas Instruments)的杰克基尔比(Jack Kilby)与快捷半导体公司(Fairchild Semiconductor)的罗伯诺伊思(Robert Noyce)首先提出第一代的集成电路之后，集成电路就迅速地被应用在各种元件中。

一般来说，制造者大多会在晶片上同时制造多个集成电路，接着才会将晶片切割为个别的芯片。虽然传统上芯片的最上层会沉积一层保护层，但此一保护层并无法保护芯片的侧缘。因此，若没有适当的保护措施，芯片的侧缘将会遭受水气及离子的污染。

为了因应上述问题，一种被称之为封环(seal rings)或保护环(guard rings)的结构也就渐渐发展了起来。这种封环结构一般是由包围芯片上缘的金属嵌条所构成。制造者可在切割晶片以前，将封环制造于每一芯片上，以强化芯片的结构强度，并同时避免水气或离子污染物进入芯片的主动电路区，影响操作的稳定性。

发明内容

由于封环本身的形状大多为封闭曲线，因此封环中往往会产生感应电流，影响芯片的操作。虽然可以通过将封环切开来破坏原本为封闭曲线的结构，但切开封环所形成的缺口却往往会提供一条绝佳的路径，让水、湿气、离子污染物、甚至是裂缝借此进入封环内。

因此，本发明所要解决的技术问题就是在提供一种半导体装置，用以解决上述的两难问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一实施例，本发明提供一种半导体装置，包含一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。第一封环环绕第一电路。第一缺口切开第一封环，且此第一缺口呈Z字形，该第一缺口包含：一内开口，位于该第一封环内侧；一外开口，位于该第一封环外侧；以及一连接沟，连接该内开口与该外开口。

为了实现上述目的，根据本发明的另一实施例，本发明另提供一种半导体装置，包含一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。第一封环环绕第一电路。第一缺口切开第一封环，且此第一缺口包含一内开口、一外开口以及一连接沟。其中，内开口位于第一封环内侧。外开口位于第一封环外侧，且此外开口与内开口并未对齐。连接沟连接内开口与外开口。

为了实现上述目的，根据本发明的再一实施例，本发明再提供一种半导体装置包含一基底、多个介电层、一第一电路、一第一封环以及至少一第一缺口。介电层形成于基底上。第一封环环绕第一电路，且此第一封环嵌于介电层中。第一缺口切开第一封环，且此第一缺口包含一内开口、一外开口以及一连接沟。其中，内开口位于第一封环内侧。外开口位于第一封环外侧，且此外开口与内开口沿着第一封环的环绕方向分开设置。连接沟连接内开口与外开口。

虽然第一缺口看似会提供一条进入第一封环的路径，但事实上，第一缺口所提供的是一条十分长且迂回曲折的路径，因此污染物或裂缝将难以通过第一缺口进入第一封环内。

附图说明

为让本发明的实施方式更明显易懂，所附附图的详细说明如下所示。只是需特别注意的是，根据此产业的一般性惯例，附图中有部分特征已任意放大或缩小，而未按实际比例绘示，以便清楚讨论。此外，在说明书与附图中，相同的号码将表示相关或相同的特征。

图1是依照本发明一实施例的半导体装置的上视图；

图2是图1的部分A的放大图；

图3是沿着图2的线段B-B’的剖面图。

【主要元件符号说明】

110：第一电路            120：第二电路

130：第一封环            132：第一部分

134：第二部分            140：第一缺口

142：内开口              144：连接沟

146：外开口              150：第二缺口

160：第二封环            162：第三部分

164：第四部分            170：第三缺口

200：基底                210：浅沟渠隔离

220：有源区              240：介电层

240a：介电层             240b：介电层