[发明专利]制造具有界面阻挡层的半导体器件的方法无效
申请号: | 200810179115.6 | 申请日: | 2008-11-25 |
公开(公告)号: | CN101540294A | 公开(公告)日: | 2009-09-23 |
发明(设计)人: | 成敏圭;金龙水;林宽容 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘继富;顾晋伟 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 具有 界面 阻挡 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造具有硅化钨层和氮化钨层的多层叠阻挡层的半导体存储器件的方法,所述方法包括:
在衬底上形成第一层;
在工艺腔室中注入钨源气体和硅源气体,以在所述第一层之上形成硅化钨层;
在所述硅化钨层之上形成氮化钨层,而不实施包括供应硅源气体进入所述工艺腔室的后清洗工艺;和
在所述氮化钨层之上形成第二层。
2.根据权利要求1的方法,还包括,在形成所述氮化钨层之前对所述硅化钨层实施净化工艺,以避免实施所述后清洗工艺,所述后清洗工艺可实行为防止所述硅化钨层的表面氧化。
3.根据权利要求1的方法,其中在形成所述硅化钨层之后的2小时内实施所述氮化钨层的形成。
4.根据权利要求3的方法,其中在形成所述硅化钨层之后的30分钟内实施所述氮化钨层的形成。
5.根据权利要求1的方法,其中所述氮化钨层形成为具有适于使得所述氮化钨层具有非晶特性的最小氮含量。
6.根据权利要求5的方法,其中所述最小氮含量的范围为10%到50%。
7.根据权利要求1的方法,其中所述氮化钨层形成为具有适于使得所述氮化钨层具有非晶特性的最小厚度。
8.根据权利要求7的方法,其中所述最小厚度的范围为到
9.根据权利要求1的方法,其中所述第一层包括多晶硅层,所述第二层包括钨层。
10.根据权利要求1的方法,其中使用低压化学气相沉积(LPCVD)法形成所述硅化钨层。
11.根据权利要求1的方法,其中所述硅源气体包含二氯硅烷(SiH2Cl2)或硅烷(SiH4),或两者。
12.根据权利要求1的方法,其中使用物理气相沉积(PVD)或原子层沉积法(ALD)形成所述氮化钨层。
13.一种制造具有硅化钨层和氮化钨层的多层叠阻挡层的半导体存储器件的方法,所述方法包括:
在衬底上形成第一层;
在所述第一层之上形成硅化钨层;
在所述硅化钨层之上形成氮化钨层,其中所述氮化钨层具有使得所述氮化钨维持非晶特性的最小厚度;和
在所述氮化钨层之上形成第二层。
14.根据权利要求13的方法,还包括在形成所述氮化钨层之前实施净化工艺,以移除所述硅化钨层的表面上的原生性氧化物层。
15.根据权利要求13的方法,其中所述最小厚度的范围为10到50
16.根据权利要求13的方法,其中在形成所述硅化钨层之后,没有实施后清洗工艺。
17.根据权利要求13的方法,其中所述氮化钨层具有的氮含量范围为10%到50%。
18.根据权利要求13的方法,其中在形成所述硅化钨层之后的2小时内实施所述氮化钨层的形成。
19.根据权利要求18的方法,其中在形成所述硅化钨层之后的30分钟内实施所述氮化钨层的形成。
20.根据权利要求13的方法,其中所述第一层包括多晶硅层,所述第二层包括钨层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司,未经海力士半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810179115.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:亮度级别控制装置
- 下一篇:具有发射角度选择特性的光波长转换方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造