[发明专利]制造具有界面阻挡层的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造具有硅化钨层和氮化钨层的多层叠阻挡层的半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一层；

在工艺腔室中注入钨源气体和硅源气体，以在所述第一层之上形成硅化钨层；

在所述硅化钨层之上形成氮化钨层，而不实施包括供应硅源气体进入所述工艺腔室的后清洗工艺；和

在所述氮化钨层之上形成第二层。

2.根据权利要求1的方法，还包括，在形成所述氮化钨层之前对所述硅化钨层实施净化工艺，以避免实施所述后清洗工艺，所述后清洗工艺可实行为防止所述硅化钨层的表面氧化。

3.根据权利要求1的方法，其中在形成所述硅化钨层之后的2小时内实施所述氮化钨层的形成。

4.根据权利要求3的方法，其中在形成所述硅化钨层之后的30分钟内实施所述氮化钨层的形成。

5.根据权利要求1的方法，其中所述氮化钨层形成为具有适于使得所述氮化钨层具有非晶特性的最小氮含量。

6.根据权利要求5的方法，其中所述最小氮含量的范围为10％到50％。

7.根据权利要求1的方法，其中所述氮化钨层形成为具有适于使得所述氮化钨层具有非晶特性的最小厚度。

8.根据权利要求7的方法，其中所述最小厚度的范围为到

9.根据权利要求1的方法，其中所述第一层包括多晶硅层，所述第二层包括钨层。

10.根据权利要求1的方法，其中使用低压化学气相沉积(LPCVD)法形成所述硅化钨层。

11.根据权利要求1的方法，其中所述硅源气体包含二氯硅烷(SiH₂Cl₂)或硅烷(SiH₄)，或两者。

12.根据权利要求1的方法，其中使用物理气相沉积(PVD)或原子层沉积法(ALD)形成所述氮化钨层。

13.一种制造具有硅化钨层和氮化钨层的多层叠阻挡层的半导体存储器件的方法，所述方法包括：

在衬底上形成第一层；

在所述第一层之上形成硅化钨层；

在所述硅化钨层之上形成氮化钨层，其中所述氮化钨层具有使得所述氮化钨维持非晶特性的最小厚度；和

在所述氮化钨层之上形成第二层。

14.根据权利要求13的方法，还包括在形成所述氮化钨层之前实施净化工艺，以移除所述硅化钨层的表面上的原生性氧化物层。

15.根据权利要求13的方法，其中所述最小厚度的范围为10到50

16.根据权利要求13的方法，其中在形成所述硅化钨层之后，没有实施后清洗工艺。

17.根据权利要求13的方法，其中所述氮化钨层具有的氮含量范围为10％到50％。

18.根据权利要求13的方法，其中在形成所述硅化钨层之后的2小时内实施所述氮化钨层的形成。

19.根据权利要求18的方法，其中在形成所述硅化钨层之后的30分钟内实施所述氮化钨层的形成。

20.根据权利要求13的方法，其中所述第一层包括多晶硅层，所述第二层包括钨层。