[发明专利]具有抬高的源/漏区的MOS器件

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底之上的栅电介质；

位于所述栅电介质之上的栅电极；

邻近所述栅电介质并且具有至少一部分在所述半导体衬底内的碳化硅 区；

深源/漏区；

位于所述半导体衬底之上的硅化物区，其中所述硅化物区内边缘与所 述栅电极的对应边缘之间的水平间距小于；以及

位于硅化物区和碳化硅区之间的硅层，其中所述硅层具有比碳化硅区 小的碳浓度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，进一步包括轻掺杂源/漏区， 其内边缘比所述硅化物区的内边缘距离所述栅电极更近，其中所述硅化物 区包括直接位于轻掺杂源/漏区上的第一部分，以及直接位于所述深源/漏区 上的第二部分。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中所述硅化物区与轻掺杂源 /漏区具有肖特基接触。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述硅化物区被薄衬垫从 所述栅电介质和所述栅电极间隔开，所述薄衬垫具有在到之间 的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述碳化硅区具有介于百 分之一到百分之四之间的碳原子百分比。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述硅化物区具有比所述 栅电介质的底面高的底面。

7.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底之上的栅电介质层；

位于所述栅电介质层之上的栅电极；

位于所述栅电极侧壁上的薄衬垫；

位于所述半导体衬底内并邻近所述栅电极的碳化硅应力结构；

硅化物区，其内边缘对准所述薄衬垫的外边缘，其中所述硅化物区的 底面高于所述栅电介质层的底面，并且其中所述硅化物区的内边缘和所述 栅电极的对应边缘之间的水平间距小于；以及

位于所述碳化硅应力结构和所述硅化物区之间的外延硅层。

8.根据权利要求7所述的半导体结构，进一步包括深源/漏区，其中 所述深源/漏区比所述硅化物区的内边缘被隔开得离所述栅电极更远。

9.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述薄衬垫具有小于的厚度。

10.根据权利要求7所述的半导体结构，进一步包括轻掺杂源/漏区，其 中所述轻掺杂源/漏区的内边缘对准所述栅电极的边缘。

11.根据权利要求7所述的半导体结构，其中所述硅化物区包括硅和 碳，或者所述硅化物区包括硅，并且不含碳。

12.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底包括埋层氧化层；

位于所述半导体衬底之上的栅电介质；

位于所述栅电介质之上的栅电极；

邻近所述栅电介质并且具有至少一部分在所述半导体衬底内的碳化硅 区；

包括至少一部分上述碳化硅区的深源/漏区，其中所述深源/漏区和所述 碳化硅区位于所述埋层氧化层之上；

位于所述深源/漏区之上的硅化物区，其中所述硅化物区的内边缘和所 述栅电极的对应边缘之间的水平间距小于；以及

位于所述碳化硅区和所述硅化物区之间的外延硅层。

13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中直接位于所述栅电介质 之下以及所述埋层氧化层之上的半导体区具有大于200MPa的应力。

14.根据权利要求12所述的半导体结构，其中所述硅化物区包括硅和 碳，或者所述硅化物区包括硅，并且不含碳。