[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体基体；

异质半导体区，其具有与所述半导体基体的带隙宽度不同的带隙宽度，并且与所述半导体基体相接触以形成异质结界面；

栅电极，其通过栅绝缘膜与所述异质结界面接触；

源电极，其连接到所述异质半导体区；

漏电极，其连接到所述半导体基体；

角部，其设置在接触所述栅绝缘膜的异质结界面处；以及

电流集中缓和区，其减小在所述角部生成的电流以使所述电流小于在接触所述栅绝缘膜的其它异质结界面位置生成的电流，从而使得电流均匀地流过所述角部和所述其它异质结界面位置。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区形成在所述异质半导体区中。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区是所述异质半导体区中接触所述角部的角部区(10，12)。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述角部区(10，12)和所述半导体基体之间的异质结界面处形成的对于传导电子的能量势垒，高于在所述其它异质结界面位置形成的能量势垒。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述异质半导体区的所述角部区(10，12)的导电类型与其它异质半导体区的导电类型相反。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述异质半导体区的所述角部区(10，12)的阻抗大于其它异质半导体区的阻抗。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述异质半导体区的所述角部区(10，12)的杂质浓度小于其它异质半导体区的杂质浓度。

8.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区是接触所述其它异质结界面位置的异质半导体区。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，在接触所述其它异质结界面位置的所述异质半导体区和所述半导体基体之间的异质结界面处形成的对于传导电子的能量势垒，低于在所述异质半导体区中接触所述角部的角部区和所述半导体基体之间的异质结界面处形成的能量势垒。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，接触所述其它异质结界面位置的所述异质半导体区的导电类型与所述角部处的异质半导体区的导电类型相反。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，接触所述其它异质结界面位置的所述异质半导体区的阻抗小于所述角部处的异质半导体区的阻抗。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，接触所述其它异质结界面位置的所述异质半导体区的杂质浓度大于所述角部处的异质半导体区的杂质浓度。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区形成在所述半导体基体中。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区以接触所述角部的方式形成在所述半导体基体中。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区是第二导电类型的阱区。

16.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区是导电性比所述半导体基体的导电性小的高阻抗区。

17.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区是绝缘区。

18.根据权利要求13所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区以接触所述其它异质结界面位置的方式形成在所述半导体基体中。

19.根据权利要求18所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区是导电类型与所述半导体基体的导电类型相同并且杂质浓度比所述半导体基体的杂质浓度高的导电区。

20.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区形成在所述半导体基体上。

21.根据权利要求20所述的半导体器件，其特征在于，所述电流集中缓和区以接触所述角部的方式形成在所述半导体基体上。