[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的控制方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：

存储部，存储设定温度分布，该设定温度分布包括：

在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、

仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和

在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序；

基板处理部，根据所述设定温度分布加热基板，并且通过在所述 第三工序中提供处理气体，在所述基板上形成膜；

第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，所述温度-膜厚-第一关系 为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度 分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变 化量的对应关系；

输入部，输入根据规定的设定温度分布通过所述基板处理部实际 处理的所述基板的多个部位的测量膜厚；

第一决定部，基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个部位的测量 膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度；

预计膜厚计算部，根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温 度对应的设定温度分布，计算实际处理的基板的多个部位的预计膜厚；

第二导出部，导出温度-膜厚-第二关系，在相对于所述规定的目标 膜厚所述多个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，使第 一时间、第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温 度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时 的温度变化量和在所述基板的多个部位的膜厚变化量的对应关系；以 及

第二决定部，基于所述温度-膜厚-第二关系、所述多个部位的测量 膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度，

并且，所述基板处理装置的反应管划分为与多个加热部相对应的 多个区域，所述各区域的设定温度不同。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述存储部，存储多个设定温度分布；

所述基板处理部，具有层叠并保持多个基板的保持部、和分别根 据所述多个设定温度分布控制发热量的多个加热部。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于：

所述第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，所述温度-膜厚-第一 关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更 温度分布处理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚 的变化量的对应关系，

所述输入部，输入根据多个规定的设定温度分布通过所述基板处 理部实际进行处理的、与多个加热部的各个对应的多个基板的多个部 位的测量膜厚；

所述第一决定部，基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个基板的 多个部位的测量膜厚和规定的目标膜厚，决定多个设定温度分布各自 的第一温度、第二温度及第三温度。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：

所述第一导出部，包括：

第一计算部，计算根据使第一温度变化后的设定温度分布处理基 板时的、在所述多个部位的第一预计膜厚；

第二计算部，计算根据使第二温度变化后的设定温度分布处理基 板时的、在所述多个部位的第二预计膜厚；

第三计算部，计算根据使第三温度变化后的设定温度分布处理基 板时的、在所述多个部位的第三预计膜厚；

第四计算部，计算根据使任一温度都不变化的设定温度分布处理 基板时的、在所述多个部位的第四预计膜厚；和

差值计算部，计算所述第一～第三预计膜厚的各个与所述第四预 计膜厚的差值。

5.一种基板处理装置的控制方法，其根据设定温度分布加热基板， 并且通过在第三工序中供给处理气体，在所述基板上形成膜，其中， 所述设定温度分布包括：

在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、

仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和

在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序，

所述控制方法的特征在于，包括：

导出温度-膜厚-第一关系的工序，所述温度-膜厚-第一关系为根据 使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处 理基板时的温度的变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的 对应关系；

输入根据规定的设定温度分布实际处理的所述基板的多个部位的 测量膜厚的工序；

基于所述温度-膜厚-第一关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的 目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度的工序；

计算根据与已决定的第一温度、第二温度和第三温度对应的设定 温度分布实际处理的基板的多个部位的预计膜厚的工序；

导出温度-膜厚-第二关系的工序，在相对于所述规定的目标膜厚所 述多个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情况下，使第一时间、 第二时间和第三时间的至少任一个变化，并且根据使第一温度、第二 温度和第三温度的任一个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的 变化量和在所述基板的多个部位的膜厚的变化量的对应关系；和

基于所述温度-膜厚-第二关系、所述多个部位的测量膜厚和规定的 目标膜厚，决定第一温度、第二温度及第三温度的工序，

并且，所述基板处理装置的反应管划分为与多个加热部相对应的 多个区域，所述各区域的设定温度不同。