[发明专利]基板处理装置和基板处理装置的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及基板处理装置和基板处理装置的控制方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，使用处理基板即半导体晶片(以下称为晶 片)的基板处理装置。作为基板处理装置，例如能够使用纵型热处理 装置。在纵型热处理装置中，以搁板状保持多片晶片的保持器具，被 配置在纵型的热处理炉内，通过CVD(化学气相淀积，Chemical Vapor Deposition)处理和氧化处理等，在基板上形成膜。

在用基板处理装置对晶片进行成膜处理时，晶片上的膜厚的均匀 性很重要。为了提高膜厚的均匀性，研发在改变温度的同时进行成膜 的方法(例如，参照特开2002-110552。尤其是，段落号0099)。通过 在改变温度的同时进行成膜处理，就能够控制晶片上的温度分布，使 膜厚分布均匀。具体地，通过利用适当的设定温度分布，就能够得到 良好的膜厚分布。

但是，要决定适当的设定温度分布并不容易。

发明内容

鉴于以上这样的状况完成本发明。本发明的目的在于，提供一种 能够容易地决定适当的设定温度分布的基板处理装置和基板处理装置 的控制方法。

本发明提供一种基板处理装置，其特征在于，包括：

存储部，存储设定温度分布，该设定温度分布包括：

在第一时间使温度从第一温度向第二温度变化的第一工序、

仅在第二时间保持第二温度的第二工序、和

在第三时间使温度从第二温度向第三温度变化的第三工序；

基板处理部，根据上述设定温度分布加热基板，并且通过在上述 第三工序中提供处理气体，在上述基板上形成膜；

第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，上述温度-膜厚-第一关系 为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化后的变更温度 分布处理基板时的温度的变化量和在上述基板的多个部位的膜厚的变 化量的对应关系；

输入部，输入根据规定的设定温度分布通过上述基板处理部实际 处理的上述基板的多个部位的测量膜厚；

第一决定部，基于上述温度-膜厚-第一关系、上述多个部位的测量 膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度；

预计膜厚计算部，根据与已决定的第一温度、第二温度及第三温 度对应的设定温度分布，计算实际处理的基板的多个部位的预计膜厚；

第二导出部，导出温度-膜厚-第二关系，上述温度-膜厚-第二关系 为在规定条件的情况下，使第一时间、第二时间和第三时间的至少任 一个变化，并且根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一个变化 后的变更温度分布处理基板时的温度变化量和在上述基板的多个部位 的膜厚变化量的对应关系；以及

第二决定部，基于上述温度-膜厚-第二关系、上述多个部位的测量 膜厚和规定的目标膜厚，决定第一温度、第二温度和第三温度。

根据本发明，决定适当的设定温度分布能够明显地简单化。

优选上述规定的条件的情形是相对于上述规定的目标膜厚上述多 个部位的预计膜厚不在规定的允许范围内的情形。

此外，例如，上述存储部，存储有多个设定温度分布。在该情况 下，上述基板处理部，具有层叠并保持多个基板的保持部、和分别根 据上述多个设定温度分布控制发热量的多个加热部。

在该情况下，优选上述第一导出部，导出温度-膜厚-第一关系，上 述温度-膜厚-第一关系为根据使第一温度、第二温度和第三温度的任一 个变化后的变更温度分布处理基板时的温度的变化量和在上述基板的 多个部位的膜厚的变化量的对应关系，上述输入部，输入根据多个规 定的设定温度分布通过上述基板处理部实际进行处理的、与多个加热 部的各个对应的多个基板的多个部位的测量膜厚；上述第一决定部， 基于上述温度-膜厚-第一关系、上述多个基板的多个部位的测量膜厚和 规定的目标膜厚，决定多个设定温度分布各自的第一温度、第二温度 及第三温度。