[发明专利]在半导体器件中敞开衬垫的方法无效
| 申请号： | 200810180796.8 | 申请日： | 2008-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN101459091A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 权大赫 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李丙林;张 英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 敞开 衬垫 方法 | ||
1.一种方法，包括：
在衬垫上方形成保护膜；
使用衬垫开口图样作为掩模通过刻蚀所述保护膜来敞开所述衬垫；以及
对所述敞开的衬垫进行介电加热。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电加热使用微波。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述微波具有在大约890MHz到大约940MHz的范围内的频率。
4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述微波具有在大约2425MHz到大约2475MHz的范围内的频率。
5.根据权利要求1所述的方法，其中：
将所述介电加热直接施加给刻蚀之后的包含C和F基团的残留有机材料的分子；以及
所述介电加热对所述有机材料进行加热和分解，以便所述有机材料以CO2、H2O、HF和CxFy气体中的至少一种的形式被去除。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬垫包括铝(Al)。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包括氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包括单层。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护膜包括多个层。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，使用CxFy基气体来刻蚀所述保护膜。
11.一种装置，包括形成在衬垫上方的保护膜，其中，使用衬垫开口图样作为掩模通过刻蚀所述保护膜来敞开所述衬垫，并且对所述敞开的衬垫进行介电加热。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述介电加热使用微波。
13.根据权利要求12所述的装置，其中，所述微波具有在大约890MHz到大约940MHz的范围内的频率。
14.根据权利要求12所述的装置，其中，所述微波具有在大约2425MHz到大约2475MHz的范围内的频率。
15.根据权利要求11所述的装置，其中：
将所述介电加热直接施加给刻蚀之后的包含C和F基团的残留有机材料的分子；以及
所述介电加热对所述有机材料进行加热和分解，以便所述有机材料以CO2、H2O、HF和CxFy气体中的至少一种的形式被去除。
16.根据权利要求11所述的装置，其中，所述衬垫包括铝(Al)。
17.根据权利要求11所述的装置，其中，所述保护膜包括氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。
18.根据权利要求11所述的装置，其中，所述保护膜包括单层。
19.根据权利要求11所述的装置，其中，所述保护膜包括多个层。
20.根据权利要求11所述的装置，其中，使用CxFy基气体来刻蚀所述保护膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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