[发明专利]在半导体器件中敞开衬垫的方法

说明书

本申请要求第10-2007-0128635号(于2007年12月12日递交)韩国专利申请的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种在半导体器件中敞开(open)衬垫(pad)的方法，更具体地，涉及一种在半导体器件中敞开衬垫的方法，该方法能够防止衬垫在衬垫敞开工艺(pad opening process)中遭受腐蚀。

背景技术

相对地高度集成的半导体器件和/或相对复杂的增值器件(value-added device)可能需要一些工艺来测定器件的特性。例如，在晶片处理最后阶段的衬垫敞开工艺可能很重要。在用于形成半导体芯片的组装工艺(assembly process)中进行引线键合(wirebonding)期间，可以将衬垫连接至导线。半导体器件可以通过衬垫来传输和/或接收信号。在不考虑器件特性的情况下，由于衬垫上的杂质(foreign substance)或视觉缺陷(visual defects)，可能使得产品在商业上不可行而不得不被放弃，所以衬垫敞开工艺可以是很重要的。

图1A到图1D是示出了在半导体器件中敞开衬垫的方法的截面图。如图1A所示，可以在半导体衬底10上和/或上方形成由金属膜制成的衬垫12。如图1B所示，可以在衬底10和/或衬垫12上和/或上方形成保护膜14。保护膜14可以包括氮化硅(SiN)。如图1C所示，可以将感光膜(例如，光刻胶)用作掩模材料以在衬垫12中形成开口(opening)。可以将感光膜涂覆在保护膜14上和/或上方，并通过曝光和显影方法来图样化该感光膜以形成衬垫开口图样(衬垫敞开图样，pad opening pattern)16。因此，形成了部分暴露保护膜14的衬垫开口图样16。如图1D所示，可以使用衬垫开口图样16作为掩模来刻蚀所暴露的保护膜14以敞开衬垫12。然后可以去除衬垫开口图样16。

在半导体器件的衬垫上可能保留的视觉缺陷的一个实例是如图1D中所示的凹坑状衬垫腐蚀(pit-like pad corrosion)18。这样的衬垫腐蚀18可能会对封装工艺(packaging process)的品质特性产生不利地影响。至少由于这个原因，可能必需要和/或期望要将衬垫腐蚀的程度控制和/或限定到预定的限度。对于衬垫腐蚀存在不同的原因。例如，当刻蚀衬垫12上的保护膜14时，可以使用CxFy基气体(C_xF_y-based gas)。然后，包含C和F基团(碳和氟基团，C andF groups)的有机聚合物可能因此残留在衬垫12的表面上并在后续工艺中与湿气(H₂O)发生反应。该反应可能引起腐蚀18。此外，C和F基团可能存在于干法刻蚀期间。相似地，C和F基团在后续工艺中可能与湿气发生反应，而该反应可能引起腐蚀18。如果产生了衬垫腐蚀，则电阻(resistance)可能相对地变高。相对高的电阻可能引起半导体器件的性能劣化。

发明内容

本发明实施例涉及一种在半导体器件中敞开衬垫的方法。在本发明实施例中，可以实施一种在半导体器件中敞开衬垫的方法，该方法最小化和/或基本防止衬垫在衬垫敞开工艺中遭受腐蚀。在本发明实施例中，通过分子振动(molecular vibration)进行加热，从而在半导体器件中敞开衬垫的方法可以基本上去除衬垫上包含C和F基团的有机聚合物，从而基本防止衬垫被腐蚀。

在本发明实施例中，一种在半导体器件中敞开衬垫的方法包括下列中的至少之一：用衬垫开口图样作为掩模来刻蚀衬垫上的保护膜以敞开衬垫；在由刻蚀保护膜来敞开的衬垫上实施介电加热(dielectric heating)。

在本发明实施例中，介电加热可以使用微波。可以将介电加热直接施加给包含C和F基团的有机材料的分子。介电加热可以加热和分解(resolve)有机材料，以便有机材料以CO₂、H₂O、HF和/或C_xF_y气体的形式被去除。

在本发明实施例中，可以通过分子振动进行加热来去除衬垫上包含C和F基团的有机材料，这样可以基本上防止和/或最小化衬垫的腐蚀。

附图说明

图1A至图1D是示出了在半导体器件中敞开衬垫的方法的截面图。

实例图2A至图2E是示出了根据本发明实施例的在半导体器件中敞开衬垫的方法的截面图。

具体实施方式