[发明专利]关键工艺参数的提取

说明书

相关申请

根据35 U.S.C.§119，本发明要求于2007年5月4日提交、第60/916,194号、标题为“准确晶片预测的方法与设备”(Method andApparatus to Enable Accurate Wafer Prediction)的美国临时专利的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种提取关键工艺参数的方法，特别涉及一种提取与选出的装置参数有关的关键工艺参数的方法。

背景技术

集成电路在晶片制造场所中通过多个工艺来产生。这些工艺与相关制造工具可包含热氧化、扩散、离子植入、快速热处理(RTP)、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)、磊晶形成/生长工艺、蚀刻工艺、微影工艺和/或在此领域中已知的其它制造工艺与工具。此外，制造工艺包括多个度量工艺，以用来监测与控制集成电路制造优良率、质量与可靠度。

在生产集成电路期间，制造工艺会产生大量数据。然而，负责集成电路制造工艺与设备的工艺与设备工程师，仅能通过进行各种实验(例如DOE)、或通过生产经验来确定制造工艺参数与集成电路性能(例如对在半导体基板或晶片上制造的集成电路所做的测量)间的关系。累积此种数据与知识会耗用大量的资源。此外，仅能对主动参数(例如气体流速)而无法对被动参数(例如反射功率)进行实验。另外，仍难以确定在一实验(例如在分批作业中)选出的每一参数对集成电路性能的影响。

因此，需要一种能加强判断参数(例如一工艺参数)与集成电路装置性能间的相关性的方法。

发明内容

提供了一种方法，包括选出装置参数与收集工艺数据。工艺数据包含时序工艺数据，以及与多个工艺参数有关的数值。总结时序工艺数据。进行相关性分析。相关性分析识别出关键参数，关键参数包含在多个工艺参数中。关键工艺参数与选出的装置参数有关。产生选出的装置参数的基因地图。

还提供了一种计算机可读取媒介。计算机可读取媒介包括确定工艺参数的指令。这些指令包括接收工艺数据以及相应的装置性能数据。工艺数据与第一、第二、第三、及第四工艺参数有关。总结工艺数据。将第一、第二、第三、及第四工艺参数分组成第一群与第二群。利用第一、第二、第三、及第四工艺参数间的相关性来进行分组。产生用于第一群的相关性矩阵。产生用于装置参数的基因地图。基因地图包括第一群与装置参数的相对相关性，以及第二群与装置参数的相对相关性。

还进一步地提供了一系统。此系统可被操作来收集制造数据。制造数据包含时序数据。系统将总结此时序数据。确定第一制造参数与第二制造参数间的相关性。还确定包括第一制造参数及第二制造参数的群组与集成电路性能间的相关性。产生示出群组与集成电路性能间的相对相关性的基因地图。

附图说明

连同附图研读以下详细说明可最佳地理解本发明的方面。要强调的是，依照产业所实施的标准，各特征并不按比例绘制。事实上，为了讨论的清楚，各特征的尺寸可被任意放大或缩小。

图1是示出了一种提取关键工艺参数方法的实施例的流程图；

图2是示出了一计算机系统的实施例的方块图；

图3是示出了一种相关性分析方法的实施例的流程图；

图4是示出了用于图3的方法中的一阶层二元树的实施例的图式；

图5是示出了一相关性矩阵的实施例的文件/画面图片(shot)；以及

图6是示出了一基因地图的实施例的文件/画面图片。

具体实施方式

要理解的是，在此提供具体实施例，以实例教授更广泛的发明概念，且本领域技术人员将可容易地应用本发明的教导至其它方法或设备。此外，要理解的是，在本发明中所讨论的方法与设备包含一些已知的结构和/或工艺。因为这些结构与工艺在本领域中为众所皆知的，将仅以一般的标准来叙述。本说明中会省略有些中间结构和/或工艺，它们的内容仅仅是设计上的选择。此外，为了方便与实例之用，在所有的附图中重复组件符号，重复并不意指在所有的附图中，须组合任何的特征或步骤。

参考图1，示出了一种用来提取关键工艺参数的方法100。方法100起始于步骤102，在此选出一装置参数。装置参数包括与集成电路有关的一参数，其包括一电性或物理参数，其可指出集成电路装置性能。在一实施例中，在集成电路装置或其部分的晶片层测试上，确定(例如测量)此装置参数的值。装置参数的实例包括Iddq(饱和电流的改变)、漏损参数、速度参数和/或本领域中已知的许多其它装置参数。