[发明专利]发光二极管元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光二极管元件及其制造方法。更详细地，本发明涉及具有在静电放电中保护发光二极管芯片的功能的发光二极管元件及其制造方法。

背景技术S

发光二极管芯片中的InGaN、GaN类的发光二极管芯片使用对静电非常弱的氧化铝(Al₂O₃)基板。随之，实际情况是使用氧化铝基板的发光二极管芯片由静电放电造成的不合格率非常高。

过去，已知有在将InGaN、GaN类的发光二极管芯片用作光源的发光二极管元件中设置用于从静电放电中保护发光二极管芯片的齐纳二极管(Zener diode)的技术。这时，齐纳二极管设置发光极管芯片的数量那么多，在每个发光二极管芯片连接一个齐纳二极管来保护发光二极管芯片。这种情况下，元件的生产工序复杂，随着使用多个齐纳二极管，有发光二极管元件的制造成本上升的问题。

此外，过去的发光二极管元件具有引脚框的阳极引脚端子及阴极引脚端子向形成于引脚框的注射反射板的后面弯曲的结构(J—Bending结构)，从而难以缩小发光二极管元件的厚度并追加弯曲阳极引脚端子及阴极引脚端子的工序和切断(修剪)工序，有成本上升的问题。

进而，在弯曲阳极引脚端子及阴极引脚端子的过程中，过度的应力被传递到发光二极管元件的内部，具有界面剥离等对元件的可靠性造成坏影响的问题。

另外，在发光二极管芯片中产生的热仅通过被弯曲的阳极引脚端子及阴极引脚端子的露出部分向外部排放，所以有不能有效地排放发光二极管元件内部的热的问题。

发明内容

本发明是为解决如上述的问题点而做出的，本发明所要解决的课题是：提供一种制造工序简单、不导致制造成本的过度上升的同时，具有可以在静电放电中被保护的功能的发光二极管元件及其制造方法。

本发明所要解决的另一课题是：提供一种可以防止由将发光二极管元件的引脚框的电极引脚弯曲为J字形的过程引起的制造工序的复杂和内部损伤等的发光二极管元件及其制造方法。

进而，本发明所要解决的再一课题是：提供一种具有能够更有效地排放在发光二极管元件中产生的热的结构的发光二极管元件及其制造方法。

为实现上述课题，根据本发明的一实施例的发光二极管元件制造方法包括：设置在位于引脚框的中央的引脚框杯的两侧的多个阳极引脚端子和多个阴极引脚端子包含向上方隆起的部分而分别通过冲压工序向上安装上述多个阳极引脚端子和上述多个阴极引脚端子的步骤；向下安装上述引脚框杯的底部，以使上述引脚框杯的底部向下方突出的步骤；在上述引脚框杯的内部粘贴多个发光二极管芯片的步骤；在上述多个发光二极管芯片的多个阳极和多个阴极分别电连接上述多个阳极引脚端子的多个阳极焊盘和上述多个阴极引脚端子的多个阴极焊盘的步骤；在冲模垫设置静电放电保护元件，以便在配置于上述引脚框杯周围并电连接于上述多个阴极引脚端子中的一个以上或上述阳极引脚端子中的一个以上的上述冲模垫电连接上述静电放电保护元件的电极中的任一个的步骤；在上述多个阳极引脚端子中的任一个或上述多个阴极引脚端子中的任一个电连接上述静电放电保护元件的剩余的一个电极的步骤；及由透明树脂或热固化性透射型树脂形成覆盖上述多个发光二极管的上部的树脂层的步骤。

形成上述树脂层的步骤可以包括：形成包括注射反射杯的注射部的步骤；和在上述注射反射杯打点(dotting)上述透明树脂的步骤。

在形成上述树脂层的步骤中，可以由上述热固化性透射型树脂通过传递模塑形成上述树脂层。

上述静电放电保护元件可以是齐纳二极管、串联稳压器、LDO(LowDrop-out：低压差线性)稳压器、并联稳压器、肖特基二极管、瞬态电压抑制(TVS)二极管、及开关二极管中的任一个。

根据本发明的实施例的发光二极管元件可以通过根据上述本发明的实施例的发光二极管元件制造方法中的一种方法制造。