[发明专利]半穿反式液晶显示面板的像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构包括：

一第一基板，包括一反射区域与一穿透区域；

一第一层金属图案，设置于所述第一基板上，所述第一层金属图案包括：

一栅极电极，位于所述反射区域内；

一第一金属电极，位于所述反射区域内且具有一第一电压；

一第二金属电极，位于所述反射区域内且具有一第二电压；

一第三金属电极，位于所述反射区域内；

一第一介电层，设置于所述第一基板与所述第一层金属图案上；

一第二层金属图案，设置于所述第一介电层上，所述第二层金属图案包括：

一源极电极与一漏极电极，位于所述反射区域内且分别对应所述栅极电极的两侧；

一延伸电极，与所述漏极电极电连接并延伸至部分所述穿透区域；

一第四金属电极，位于所述反射区域内，所述第四金属电极电连接至漏极电极，且所述第四金属电极电连接至所述第三金属电极，其中所述第四金属电极与所述第一金属电极部分重迭并形成一存储电容；

一第五金属电极，位于所述反射区域内，所述第五金属电极是为浮置，其中所述第五金属电极与所述第三金属电极部分重迭，并形成一感应电容，且所述第五金属电极与所述第二金属电极部分重迭并形成一调整电容；

一第二介电层，设置于所述第一介电层与所述第二层金属图案上；

一反射电极，设置于所述第二介电层上且位于所述反射区域内，其中所述反射电极与所述第五金属电极电连接；以及

一穿透电极，设置于所述第二介电层上且位于所述穿透区域内，其中所述穿透电极与所述延伸电极电连接。

2.如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，另包括：

一第二基板，所述第二基板与所述第一基板相对设置；

一液晶层，设置于所述第一基板与所述第二基板之间；以及

一共通电极，设置于所述第二基板上，其中所述穿透电极与所述共通电极形成一第一液晶电容，且所述反射电极与所述共通电极形成一第二液晶电容。

3.如权利要求2所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述共通电极具有所述第一电压。

4.如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述第一介电层具有一第一接触洞曝露出部分所述第三金属电极，且所述第四金属电极是经由所述第一介电层的所述第一接触洞电连接至所述第三金属电极。

5.如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述第二介电层具有一第二接触洞曝露出部分所述第五金属电极，以及一第三接触洞曝露出部分所述延伸电极，所述反射电极填入所述第二接触洞与所述第五金属电极电连接，且所述穿透电极填入所述第三接触洞与所述延伸电极电连接。

6.如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述第二介电层由下而上依序包括一无机介电层与一有机介电层。

7.如权利要求6所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述有机介电层于所述反射区域内具有一起伏表面，且设置于其上的所述反射电极亦具有一起伏表面。

8.如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，另包括一非晶硅半导体层，位于所述第一介电层上且对应所述栅极电极。

9.如权利要求1所述的半穿反式液晶显示面板的像素结构，其特征在于，所述半穿反式液晶显示面板包括一单液晶间隙半穿反式液晶显示面板。