[发明专利]多芯片封装结构及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810181585.6 申请日: 2008-11-25
公开(公告)号: CN101740552A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 周世文 申请(专利权)人: 南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/18;H01L25/065;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈亮
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 芯片 封装 结构 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种多芯片封装结构,包括:

一承载器;

一第一芯片,配置于该承载器上,且具有多个第一焊垫;

一中继线路基板,配置于该第一芯片上;

多条第一焊线,电性连接该第一芯片与该中继线路基板之间;

多条第二焊线,电性连接于该中继线路基板与该承载器之间;

一第二芯片,配置于该承载器上,并与该第一芯片相堆叠,且具有多个第 二焊垫;

多条第三焊线,电性连接于该第二芯片与该承载器之间,其中该些第一焊 线、该些第二焊线及该些第三焊线位于该承载器的同一侧;以及

一粘着层,粘着于该第一芯片与该第二芯片之间,且完全覆盖该些第一焊 垫或该些第二焊垫。

2.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,该承载器包括一电 路板或一导线架。

3.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,该第一芯片具有一 第一有源表面以及一第一背面,该些第一焊垫位于该第一有源表面上,该中继 线路基板配置于该第一芯片的该第一有源表面,并将该些第一焊垫暴露。

4.如权利要求3所述的多芯片封装结构,其特征在于,该中继线路基板具 有一开口,以将该些第一焊垫暴露,且该些第一焊线连接于该些第一焊垫与该 中继线路基板之间,并穿过该开口。

5.如权利要求3所述的多芯片封装结构,其特征在于,该中继线路基板具 有一凹口,以将该些第一焊垫暴露,且该些第一焊线连接于该些第一焊垫与该 中继线路基板之间,并穿过该凹口。

6.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,该第一芯片配置于 该承载器与该第二芯片之间,而该粘着层覆盖该第一芯片、该中继线路基板、 该些第一焊线以及与该中继线路基板连接的各该第二焊线的一端。

7.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,该第二芯片配置于 该承载器与该第一芯片之间,而该粘着层覆盖该第二芯片以及与该第二芯片连 接的各该第三焊线的一端。

8.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,该第二芯片具有一 第二有源表面以及一第二背面,该些第二焊垫位于该第二有源表面上,且该粘 着层粘着于该第二背面与该第一有源表面之间。

9.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,该粘着层包括一B 阶粘着层。

10.如权利要求1所述的多芯片封装结构,其特征在于,更包括一封装胶体, 配置于该承载器上,其中该封装胶体包覆该第一芯片、该第二芯片、该些第二 焊线以及该些第三焊线。

11.一种多芯片封装结构的制造方法,包括:

提供一承载器;

将一第一芯片配置于该承载器上,其中该第一芯片具有多个第一焊垫;

将一中继线路基板配置于该第一芯片上;

形成多条第一焊线,以使该第一芯片与该中继线路基板电性连接;

形成多条第二焊线,以使该中继线路基板与该承载器电性连接;

透过一粘着层将一第二芯片粘着于该第一芯片上,其中该粘着层覆盖该第 一芯片、该中继线路基板、该些第一焊线以及与该中继线路基板连接的各该第 二焊线的一端,且完全覆盖该些第一焊垫;以及

形成多条第三焊线,以使该第二芯片与该承载器之间电性连接。

12.如权利要求11所述的多芯片封装结构的制造方法,其特征在于,该粘 着层的形成方法包括于一第一芯片的一第一有源表面上形成一粘着层。

13.如权利要求11所述的多芯片封装结构的制造方法,其特征在于,该粘 着层的形成方法包括于一第二芯片的一第二背面上形成一粘着层,其中该些第 一焊线与该些第二焊线能够穿过该粘着层。

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