[发明专利]低热膨胀性低介质损耗的预浸料及其应用品有效
申请号: | 200810181725.X | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN101692756A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 天羽悟;清水浩;塙明德 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H05K1/03 | 分类号: | H05K1/03;C08J5/24;C08L47/00;C08L71/12;C08K3/36;C08K5/54;C08F12/34;C08F22/40;C08K5/03;C08K5/3415 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 陈昕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低热 膨胀 介质 损耗 料及 用品 | ||
技术领域
本发明涉及形成用应对高频信号的介质损耗角正切和热膨胀系数 低的绝缘层的低热膨胀性低介质损耗预浸料,以及以其固化物为绝缘 层的叠层板、印刷基板、印刷线路板、多层印刷线路板等配线板材料 及使用了该配线板材料的电子器件等应用品。
背景技术
近年、PHS、手机等信息通信设备的信号频带、计算机的CPU时钟 间已达到了GHz频带,正向高频化发展。电信号的传输损耗以介质损 耗、导体损耗和放射损耗之和表示,存在电信号频率越高,介质损耗、 导体损耗、放射损耗越大的关系。
由于传输损耗使电信号衰减,有损于电信号的可靠性,因此在处 理高频信号的印刷线路板中,需要在抑制介质损耗、导体损耗、放射 损耗的增大方面下工夫。介质损耗与形成电路的绝缘体的相对介电常 数的平方根、介质损耗角正切及使用的信号频率之积成正比。因此, 作为绝缘体,通过选择介电常数和介质损耗角正切小的绝缘材料,可 抑制介质损耗增大。
代表性的低介电常数、低介质损耗角正切的材料如下所示。以聚 四氟乙烯(PTFE)为代表的氟树脂因介电常数和介质损耗角正切都很 低,因此自古以来就用于处理高频信号的基板材料。反之,也研究了 各种易于被有机溶剂清漆化、成型温度和固化温度低、易处理的非氟 系低介电常数、低介质损耗角正切的绝缘材料。例如,可大量举出专 利文献1、专利文献2所述的使聚丁二烯等二烯系聚合物浸含在玻璃 纤维布等基材中,由过氧化物固化的例子;如专利文献3所述的将氰 酸酯、二烯系聚合物及环氧树脂加热,半熔化(B-stage)的例子;专 利文献4所述的由聚苯醚、二烯系聚合物及异氰尿酸三烯丙酯形成的 改性树脂的例子;专利文献5所述的由烯丙化聚苯醚及异氰尿酸三烯 丙酯等形成的树脂组合物的例子;专利文献6、专利文献7、专利文献 8所述的将全烃骨架的多官能苯乙烯化合物用作交联成分的例子等。
另一方面,与树脂材料介质特性的改善方法同时,还进行了浸含 树脂材料的纤维布、无纺布(以下称为基材)的低介电常数化、低介 质损耗角正切化的研究。作为其例子,可举出专利文献9所述的由PTFE 纤维与E玻璃纤维或与D玻璃纤维形成的纤维布,专利文献10所述的 由聚丙烯纤维形成的无纺布,专利文献11所述的由环状聚烯烃纤维形 成的无纺布,专利文献12所述的氧化硅、氧化铝、氧化硼等的配合比 特定的NE玻璃纤维布,专利文献13所述的石英玻璃无纺布,专利文 献14所述的由石英玻璃纤维与石英玻璃以外的玻璃纤维形成的纤维 布等。据认为,上述基材中介质损耗角正切最低的是由石英玻璃纤维 形成的纤维布或无纺布。
进而,对由上述介质损耗角正切低的基材与树脂组合物复合而成 的低介质损耗材料也有大量研究,在专利文献14、专利文献15等中 举出了将以多官能苯乙烯化合物为基质的树脂组合物与各种低介电常 数、低介质损耗角正切基材制成复合材料的例子,在专利文献16中, 公开了制作在石英玻璃纤维形成的纤维布中浸含有以多官能苯乙烯化 合物为交联成分的树脂组合物的预浸料,其固化物在10GHz时的介质 损耗角正切低达0.0009。
但是,介质特性优异的石英玻璃一般被认为存在较硬、钻削加工 性与其它材料相比较差、价格高等问题。另外,使用D玻璃纤维、NE 玻璃纤维的纤维布的介质损耗角正切与石英玻璃纤维相比较高。使用 PTFE纤维或烯烃纤维的纤维布、无纺布的热膨胀系数较大。另外,PTFE 纤维中,因与浸含树脂的互容性低,可能存在易发生界面剥离,因与 之相伴的吸湿的影响使介质损耗角正切增加、焊料耐热性降低,并且 报废时在燃烧时可能会产生氢氟酸等有害的腐蚀性气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立化成工业株式会社,未经日立化成工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810181725.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。