[发明专利]液晶用基板和液晶面板

说明书

本申请是申请为97120489.6、申请日1997年10月21日的母案申请 的分案申请。

技术领域

本发明涉及液晶面板和反射型液晶面板，特别是涉及利用在半 导体基板或绝缘基板上形成的开关元件来开关象素电极的有源矩阵 型液晶面板中适用的技术。还涉及使用它的电子装置及投影式显示 装置。

背景技术

迄今，作为投影式显示装置的光阀中使用的反射型有源矩阵液 晶面板，已达到实用化程度的是在玻璃基板上形成采用非晶硅的薄 膜晶体管(TFT)阵列的结构的液晶面板。

上述使用TFT的有源矩阵液晶面板是透射型的液晶面板，由透 明导电膜形成象素电极。在透射型的液晶面板中，设在各象素上的 TFT这样的开关元件的形成区不是透射区，所以数值孔径当然很 低，存在数值孔径随着面板的分辨率XGA、S-VGA的增大而减小的 致命的缺点。

因此，作为尺寸比透射型有源矩阵液晶面板小的液晶面板，可 以考虑利用在半导体基板或绝缘基板上形成的晶体管来开关构成反 射电极的象素电极这样的反射型有源矩阵液晶面板。

迄今，在这样的反射型液晶面板中，在形成反射电极的基板上 设置作为保护膜的钝化膜的必要性不大，所以多半将其省略。因 此，本发明者研究了将钝化膜设在反射型液晶面板用基板上的情 况。

通常在半导体装置中，多半使用利用减压CVD法等形成的氮化 硅膜作为钝化膜。可是，在现有技术的情况下，利用CVD法形成的 钝化膜的厚度要避免产生10％左右的偏差是困难的。然而，在反射 型液晶面板中，反射率随着钝化膜厚度的偏差的变化而发生很大的 变化，液晶的折射率也随之变化，这是不适宜的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种具有即使反射率的偏差大，也不会 使液晶的折射率变化的钝化膜的可靠性高的反射型液晶面板用的基 板及液晶面板。

本发明的另一目的在于提供一种可靠性高且图象质量好的反射 型液晶面板及使用它的电子装置和投影式显示装置。

为了达到上述目的，本发明的液晶面板用基板是这样构成的， 即在基板上呈矩阵状地形成反射电极，同时对应于各反射电极形成 各晶体管，通过上述晶体管将电压加在上述反射电极上，其特征在 于：在上述反射电极上形成钝化膜，上述钝化膜的厚度是这样选择 的，即当上述反射电极对入射光波长的反射率的特性变化时，以能 将反射率的变化限定在约1％以内，膜厚的偏差对上述反射电极的反 射率的影响小。

另外，由于该钝化膜是由氧化硅膜形成的，所以能抑制反射电 极的反射率随光的波长变化而发生较大变化的现象。

另外，作为反射型液晶面板用基板的钝化膜是使用膜厚为 500～2000埃的氧化硅膜。氧化硅膜作为保护膜的功能比氮化硅膜多 少差一些，但由于膜厚的偏差对象素电极的反射率的影响比氮化硅 膜小，同时特别是膜厚为500～2000埃的氧化硅膜的反射率与波长的 依赖性小，所以通过使用作为钝化膜的氧化硅膜，能减小反射率的 变化。

再者，对应于入射光的波长，将钝化膜的厚度分别设定在适当 的范围。更具体地说，在反射蓝色光的象素电极中，使成为钝化膜 的氧化硅膜的厚度为900～1200埃，在反射绿色光的象素电极中，为 1200～1600埃，在反射红色光的象素电极中，为1300～1900埃。如果 将成为钝化膜的氧化硅膜的厚度设定在上述范围内，则能将对各色 的反射率的偏差抑制在1％以下，能提高液晶面板的可靠性，同时能 提高将这样的反射型液晶面板作为光阀使用的投影式显示装置中的 图象质量。

再者，成为钝化膜的氧化硅膜的厚度可以用与在它上面形成的 取向膜的厚度之间的关系来设定。另外，这时取向膜的合适的厚度 为300～1400埃，最好为800～1400埃。通过将取向膜的厚度设定在上 述范围内，能有效地防止液晶折射率的变化。

另外，在同一基板上呈矩阵状配置了象素电极的象素区和在其 外侧形成移位寄存器或控制电路等外围电路的反射型液晶面板中， 也可以在象素区的上方形成由氧化硅膜构成的钝化膜，而在上述外 围电路的上方形成由氮化硅膜构成的钝化膜。由于外围电路与它上 面的钝化膜的厚度和反射率无关，所以通过使用氮化硅膜，能更可 靠地保护外围电路，提高可靠性。