[发明专利]使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法

权利要求书

1.用于凸点下金属层的蚀刻组合物，所述蚀刻组合物包括：

40重量％～90重量％的过氧化氢；

1重量％～20重量％的包括氢氧化铵或氢氧化四烷基铵的含水碱 液；

0.01重量％～10重量％的醇化合物；

2重量％～30重量％的乙二胺基螯合剂；以及

1ppm～1000ppm的非离子表面活性剂，且所述非离子表面活性剂 包括聚氧化乙烯与聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇与聚丙二醇的 嵌段共聚物。

2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述蚀刻组合物包括68 重量％～77重量％的过氧化氢，7重量％～14重量％的包括氢氧化铵的含 水碱液，0.1重量％～3重量％的醇化合物，以及15重量％～20重量％的 乙二胺基螯合剂，且所述凸点下金属层包括钛。

3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述包括氢氧化铵的含 水碱液对过氧化氢的重量比为1∶6～1∶9的范围。

4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述蚀刻组合物包括75 重量％～83重量％的过氧化氢，1重量％～7重量％的包括氢氧化四烷基 铵的含水碱液，0.01重量％～3重量％的醇化合物，以及15重量％～20 重量％的乙二胺基螯合剂，且所述凸点下金属层包括钛钨。

5.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述含水碱液包括25 重量％～50重量％的氢氧化铵。

6.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述含水碱液包括15 重量％～35重量％的氢氧化四烷基铵。

7.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其中所述乙二胺基螯合剂包 括乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸二钾盐、乙二胺四乙酸二钠盐或者乙 二胺四乙酸四钠盐。

8.形成凸点结构的方法，其包括：

形成焊盘，所述焊盘电连接至衬底上的半导体芯片；

在所述衬底上形成钝化层图案，所述钝化层图案暴露所述焊盘；

在所述钝化层图案以及被所述钝化层图案暴露的焊盘上形成凸点 下金属层；

在所述凸点下金属层上形成导电凸点；以及

利用所述导电凸点作为掩模，用蚀刻组合物移除所述凸点下金属 层的一部分，所述蚀刻组合物包括：40重量％～90重量％的过氧化氢， 1重量％～20重量％的包括氢氧化铵或氢氧化四烷基铵的含水碱液，0.01 重量％～10重量％的醇化合物，2重量％～30重量％的乙二胺基螯合剂， 以及1ppm～1000ppm的非离子表面活性剂，且所述非离子表面活性剂 包括聚氧化乙烯与聚氧化丙烯的共聚物，或者聚乙二醇与聚丙二醇的 嵌段共聚物。

9.如权利要求8所述的方法，其中包括氢氧化铵的含水碱液对过 氧化氢的重量比为1∶6～1∶9的范围。

10.如权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻组合物包括68重量 ％～77重量％的过氧化氢，7重量％～14重量％的包括氢氧化铵的含水碱 液，0.1重量％～3重量％的醇化合物，以及15重量％～20重量％的乙二 胺基螯合剂，且所述凸点下金属层包括钛。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻组合物包括75重量 ％～83重量％的过氧化氢，1重量％～7重量％的包括氢氧化四烷基铵的 含水碱液，0.01重量％～3重量％的醇化合物，以及15重量％～20重量％ 的乙二胺基螯合剂，且所述凸点下金属层包括钛钨。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述移除凸点下金属层的一 部分包括在40℃～70℃的温度下使用所述蚀刻组合物对所述凸点下金 属层蚀刻1分钟～5分钟。

13.如权利要求8所述的方法，在移除所述凸点下金属层之后， 还包括对其上形成有导电凸点的衬底进行热处理。

14.如权利要求13所述的方法，在进行热处理之后，还包括在 20℃～40℃的温度下使用所述蚀刻组合物对所述凸点结构清洁30秒钟 ～1分钟。