[发明专利]使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法

说明书

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及用于凸点下金属(under-bump metallurgy，UBM)层的蚀刻组合物，以及形成凸点结构的方法。更具体 地说，本发明的示例性实施方式涉及用于防止和/或减少在导电凸点上 产生杂质的蚀刻组合物，以及使用该蚀刻组合物形成凸点结构的方法。

背景技术

通常，导电凸点用于电连接半导体芯片与电子设备。可以进行电 管芯分选(electrical die sorting，EDS)处理以检验其上形成有导电凸点的 半导体芯片的性能。EDS处理使用探针台测量其上形成有导电凸点的 半导体芯片的电学特性，以确定半导体芯片是否有缺陷。该探针台包 括用于通过探针针尖输入/输出电信号的探针卡，该探针针尖直接与导 电凸点相接触。该探针卡分析电信号以检测其上形成有导电凸点的半 导体芯片的缺陷。

可使用电镀液和电镀方法形成导电凸点。该电镀液可包括具有氰 基的化合物或没有氰基的化合物。近来，比起包括具有氰基的化合物(如 氰化金钾(KAu(CN)₂))的电镀液，更广泛地使用包括没有氰基的化合物 (例如亚硫酸金钠(Na₃Au(SO₃)₂)的电镀液。结果，在后续处理期间不会 产生诸如氰化氢(HCN)的有毒气体。此外，导电凸点具有更致密的结构。

然而，当使用没有氰基的化合物形成导电凸点时，杂质可能会残 留在导电凸点上。这些杂质在EDS处理期间可能会导致加工误差。更 具体地说，当导电凸点被蚀刻而暴露凸点下金属(UBM)层时，可能会产 生杂质，并且产生的杂质可能会粘附到探针针尖并在电信号分析中引 起错误。所述杂质可以包括金属杂质，诸如来自焊盘(pad)的铝(Al)或来 自UBM层的钛(Ti)，来自钝化层的聚酰亚胺或氧氮化硅(SiON)，或者 氧化物杂质如铝氧化物或钛氧化物。作为这些杂质的结果，尽管可以 对半导体芯片合适地进行操作，但探针台会输出指示半导体芯片中电 短路或电开路的不合适结果。

鉴于以上所述，可以在EDS处理之前和/或之后进行清洁处理以从 探针卡的针尖移除杂质。然而，清洁处理可能造成磨损并可能损坏探 针针尖。因此会降低生产率。此外，这些清洁处理可能不足以将杂质 从探针针尖移除。由此，期望能够防止杂质产生的方法。

发明内容

因此，本发明的实施方式涉及一种用于UBM层的蚀刻组合物，该 蚀刻组合物可以基本上和/或完全克服一个或多个由于现有技术的限制 和缺点而造成的问题。

示例性实施方式提供一种用于UBM层的蚀刻组合物，该蚀刻组合 物可减少和/或防止在凸点结构形成期间从导电凸点产生的杂质。

示例性实施方式提供一种用于UBM层的蚀刻组合物，该蚀刻组合 物可通过减少和/或防止可粘附到探针卡的探针针尖上的杂质，从而改 善EDS处理的可靠性。

示例性实施方式提供一种使用蚀刻组合物形成凸点结构的方法， 该组合物导致在导电凸点上相对较少的杂质，该杂质可能会粘附到探 针卡并在利用探针卡分析电信号过程中引起错误。

提供用于蚀刻UBM层的蚀刻组合物的示例性实施方式可以在导 电凸点上形成保护层，以防止和/或减少在导电凸点形成期间可能产生 的蚀刻残留物或杂质粘附到导电凸点。

示例性实施方式提供一种用于蚀刻UBM层的蚀刻组合物，该蚀刻 组合物可以有效地从导电凸点移除在导电凸点形成期间可能产生的蚀 刻残留物或杂质，而不损坏聚酰亚胺层以及铝层和/或氧氮化硅层。

示例性实施方式提供一种用于蚀刻UBM层的蚀刻组合物，该蚀刻 组合物可以导致相对较少的杂质和/或没有杂质，该杂质可能在在导电 凸点形成期间产生，并可以在EDS处理期间防止杂质粘附到探针卡并 防止接触电阻增加。

示例性实施方式提供一种蚀刻组合物，该蚀刻组合物可以降低清 洁处理的频率并可提高生产率，该清洁处理用于由于在导电凸点形成 期间可能产生的杂质而进行的探针针尖清洁。