[发明专利]交流发光二极管装置有效
申请号: | 200810181944.8 | 申请日: | 2008-11-28 |
公开(公告)号: | CN101749556A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 戴晟杰;叶文勇;詹益仁 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V23/00;H05B37/02;F21Y101/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交流 发光二极管 装置 | ||
1.一种交流发光二极管装置,包括:
复数个发光二极管,至少部份的该些发光二极管有不同的微晶粒面 积;以及
一控制单元,用以分别控制该些发光二极管;
其中,当该些发光二极管被一交流电压源驱动时,该控制单元依据该 交流电压源的电压依序地导通具不同微晶粒面积的该些发光二极管;
其中,该控制单元于该交流电压源的电压较小时导通具较大微晶粒面 积的该些发光二极管,该控制单元于该交流电压源的电压较大时导通具较 小微晶粒面积的该些发光二极管。
2.如权利要求1所述的交流发光二极管装置,其中,该控制单元控 制该交流电压源的电流方向,使得该些发光二极管均承受正向电压。
3.如权利要求1所述的交流发光二极管装置,其中,该些发光二极 管串联连接,每一个发光二极管的阳极及阴极均电性连接至该控制单元。
4.如权利要求3所述的交流发光二极管装置,其中,串联连接的该 些发光二极管是依据各自微晶粒面积的大小依序排列。
5.如权利要求3所述的交流发光二极管装置,其中,串联连接的该 些发光二极管各自并联不同于自身微晶粒面积的发光二极管。
6.如权利要求3所述的交流发光二极管装置,其中,串联连接的该 些发光二极管各自并联相同于自身微晶粒面积的发光二极管。
7.如权利要求6所述的交流发光二极管装置,其中,串联连接的该 些发光二极管每一个所各自并联的发光二极管个数相同。
8.如权利要求6所述的交流发光二极管装置,其中,串联连接的该 些发光二极管每一个所各自并联的发光二极管个数不同,微晶粒面积较大 的发光二极管所并联的发光二极管个数较少,微晶粒面积较小的发光二极 管所并联的发光二极管个数较多。
9.如权利要求1所述的交流发光二极管装置,其中,该些发光二极 管包括第一发光二极管串及第二发光二极管串,该第一发光二极管串与该 第二发光二极管串是反向并联且控制于该控制单元,该第一发光二极管串 于该交流电压源的正半周期被驱动,该第二发光二极管串于该交流电压源 的负半周期被驱动。
10.如权利要求1所述的交流发光二极管装置,包括:
一桥氏整流器,电性连接于该些发光二极管与该交流电压源之间,用 以整流该交流电压源,使得该些发光二极管均承受正向电压。
11.如权利要求1所述的交流发光二极管装置,其中,该控制单元与 该些发光二极管被整合于一芯片内或一封装体内,或是该控制单元在该封 装体外。
12.一种交流发光二极管装置,包括:
一控制单元;以及
复数个发光二极管,每一个发光二极管的阳极及阴极各自电性连接至 该控制单元,且至少部份的该些发光二极管具有不同的微晶粒面积;
其中,当该些发光二极管被一交流电压源驱动时,该控制单元依据该 交流电压源的电压,改变该些发光二极管的串联或并联状态,且该控制单 元依据该交流电压源的电压依序地导通具不同微晶粒面积的该些发光二 极管;
其中,该控制单元于该交流电压源的电压较小时,并联并导通具有较 大微晶粒面积的该些发光二极管,且该控制单元于该交流电压源的电压较 大时,串联并导通具有较小微晶粒面积的该些发光二极管。
13.如权利要求12所述的交流发光二极管装置,其中,该控制单元 控制该交流电压源的电流方向,使得该些发光二极管均承受正向电压。
14.如权利要求12所述的交流发光二极管装置,其中,该些发光二 极管是各自依据微晶粒面积的大小依序排列。
15.如权利要求12所述的交流发光二极管装置,其中,每一个发光 二极管各自并联不同于自身微晶粒面积的发光二极管。
16.如权利要求12所述的交流发光二极管装置,其中,每一个发光 二极管各自并联相同于自身微晶粒面积的发光二极管。
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