[发明专利]可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构

说明书

技术领域：

本发明涉及高频线圈技术领域，尤其是涉及一种可使电流均匀分布在内孔周围，通过电流使硅芯或其它晶体材料受热均匀，并可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的新型高频线圈结构。

背景技术：

目前，硅芯在国内使用量非常巨大；现有的硅芯、单晶硅及其它材料晶体区熔方式生产的工艺过程中，大多使用的是一种单目高频线圈，其工作原理如下：工作时通过给高频线圈通入高频电流，使高频线圈产生电流对原料棒进行感应加热，加热后的原料棒上端头形成融化区，然后将仔晶插入熔化区，慢慢提升仔晶，熔化后的原料就会跟随仔晶上升，形成一个新的柱形晶体，这个新的柱形晶体便是硅芯或其它材料晶体的制成品。

本人通过多次实验发现，在先专利布局不合理；例如本人在先申请的两项实用新型专利；

其中专利1：专利名称、一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年1月19日；授权公告号、CN200996058Y；

其中专利2：专利名称、一种一次可生产五根硅芯或其它晶体材料的高频线圈；申请日、2007年2月13日；授权公告号、CN201024229Y；

通过这两年的使用，在内孔周围的电流运行达不到预期的目的，如上述两项专利申请文件图中所示的结构，电流在环绕各个内孔运行时，会出现中部内孔的电流运行较多，另外四个内孔的环绕电流受到高频电流运行原理的影响，使得连通斜开口的内孔的温度远高于另外的四个内孔，特别是距离斜开口最远的那个内孔(也就是电流走近路)，由于电流的走近路现象，所产生的后果是提升起来的仔晶直径大小不一，从而造成残次品数量的增加。

发明内容：

为了克服背景技术中的不足，本发明公开了一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，本发明的斜开口连接中部内孔，三条分流槽由中部内孔向上、左、右三个方向延伸至无斜开口的内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕四个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在五个内孔周围，实现了电流在五个内孔周围均匀分布的目的。

为了实现上述发明的目的，本发明采用如下技术方案：

一种可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的高频线圈结构在高频线圈的下部设置有电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B，高频线圈的高频线圈上面呈向中心位置内陷的斜面，高频线圈的高频线圈下面设有向中心位置内陷的梯形，冷却水道环埋在高频线圈的外部；所述的高频线圈结构包括用于电流导流的分流槽，五个内孔为中部设置一个内孔，另外四个内孔呈“十”字形均匀分布在中部内孔的周围，在电流输送暨冷却水输送铜管A及电流输送暨冷却水输送铜管B一侧的斜开口连接惯通连接中部内孔，所述的分流槽由中部内孔向外延伸至除了斜开口以外的每两个内孔之间。

所述的可同时生产五根硅芯及其它晶体材料的高频线圈结构，所述的内孔可设置为圆形内孔、方形内孔、方形内角倒圆内孔、长方形内孔、长方形内角倒圆内孔、三角形内孔、三角形内角倒圆内孔、多边形内孔、不规则多边形内孔、菱形内孔、菱形内角倒圆内孔、梯形内孔、梯形内角倒圆内孔、长圆形内孔或椭圆形内孔。

由于采用上述技术方案，本发明具有如下优越性：

本发明的斜开口连接中部内孔，分流槽由中部内孔向外分布在每两个外围内孔之间，使电流运行时在分流槽的分流作用下均匀围绕五个内孔运行，并且分流槽辅助电流更均匀的分布在五个内孔周围，通过实验及测试，证明了本发明改进后电流在分流槽的导流下可以均匀的环绕各个内孔运行，五个内孔的加热温度基本相同，实现了电流在五个内孔周围均匀分布的目的，提高能量利用率，降低生产成本和减少次品率；本发明且具有加热均匀、大量节约能源、减少设备投资及人工综合成本可有效降低等优点，易于在多晶硅行业推广实施。

附图说明：

图1是本发明的电流分配图。

图2是本发明的平面结构示意图。

图3是图2的A-A示图。

图4是本发明的工作原理示意图。

在图中：1、原料棒；2、磁力线；3、高频线圈；4、冷却水道；5、硅芯；6、仔晶；7、仔晶夹头；8、内孔；9、高频线圈上面；10、高频线圈下面；11、电流输送暨冷却水输送铜管A；12、电流输送暨冷却水输送铜管B；13、斜开口；14、分流槽；15、电流。

具体实施方式：

参考下面的实施例，可以更详细地解释本发明；但是，本发明并不局限于这些实施例。