[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一导电类型的半导体衬底；

第一导电类型的第一半导体区域，其杂质浓度低于所述半导体衬底的杂质浓度，并且，该第一半导体区域形成于所述半导体衬底的第一主表面上；

第二导电类型的第二半导体区域，形成于所述第一半导体区域的表面区域中，且与所述第一半导体区域形成PN结；

包括所述第一半导体区域的一部分和所述第二半导体区域的一部分的接触区域；

具有开口部的绝缘层，其中至少所述接触区域通过所述开口部而露出；

形成为至少与所述接触区域接触的第一电极；以及

形成于所述半导体衬底的第二主表面上的第二电极，

其中从与所述第一主表面垂直的方向观察，所述第二半导体区域包括：

第一区域，在该第一区域中，第二半导体的多个岛有间隔地排列；和

第二区域，所述第二区域将所述第一区域的岛的各端相互连接。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二半导体区域的边角呈圆形。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电极由铝或者主要包括铝的合金形成。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一电极和所述第一半导体区域之间形成肖特基结，并且所述第一电极和所述第二半导体区域之间形成欧姆结。

5.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

在第一导电类型的半导体衬底的第一主表面上形成杂质浓度低于所述半导体衬底的杂质浓度的第一导电类型的第一半导体区域；

对所述第一半导体区域的表面区域进行具有开口部的第一掩蔽，所述开口部具有包括第一区域和第二区域的形状，其中在所述第一区域中，多个岛有间隔地排列，并且在所述第二区域中，所述第一区域的多个岛的各端相互连接；

从所述开口部注入杂质到所述第一半导体区域中，形成与所述第一半导体区域形成PN结的第二导电类型的第二半导体区域，随后除去所述第一掩蔽；

进行第二掩蔽，用于至少覆盖用作电接触区域的一部分第二半导体区域和一部分第一半导体区域，并在所述第一半导体区域的表面上形成绝缘层，随后除去所述第二掩蔽；

形成至少与所述接触区域的第二半导体区域和第一半导体区域接触的第一电极；以及

在所述半导体衬底的第二主表面上形成第二电极。