[发明专利]发光装置、电子设备以及成膜方法无效
申请号: | 200810182764.1 | 申请日: | 2008-12-04 |
公开(公告)号: | CN101452947A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 新东晋;四谷真一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56;H01L51/00;C23C16/04;C23C14/04 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李 伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 电子设备 以及 方法 | ||
1.一种发光装置,其特征在于,具备:
基板;
包含在所述基板上按顺序依次形成的下层侧电极、发光功能层以及上层侧电极的发光元件;
形成在所述上层侧电极上且具有与该上层侧电极的直接接点的辅助电极;和
以覆盖所述辅助电极及所述上层侧电极的方式形成、防止水以及氧的至少一方进入所述发光元件的屏障层;
所述辅助电极包含一个以上俯视沿第一方向延伸的线状辅助电极,
该线状辅助电极的与所述第一方向相交的方向的剖面形状包含锥形形状。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述线状辅助电极的厚度大于所述屏障层的厚度。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置,其特征在于,还包括:
形成于所述基板、将所述上层侧电极以及所述辅助电极设定为规定电位的电源线;和
介于所述上层侧电极及所述辅助电极与所述电源线之间,且形成为被确保分别与两者的至少一部分电接触的接触薄膜;
所述接触薄膜的至少所述第一方向的剖面形状包含锥形形状。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
形成所述锥形形状的斜边、与和该斜边的一端连接且与该斜边形成锐角的该锥形形状的一边所构成的角度为20度以上60度以下。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述屏障层的厚度为30nm以上500nm以下。
6.一种电子设备,其特征在于,具备权利要求1至5中任一项所述的发光装置。
7.一种成膜方法,使用了其剖面形状包含梯形、且以规定间隔排列设置有多个具有规定的高度及长度的梯形掩模的薄膜形成用掩模,其特征在于,包括:
在所述薄膜形成用掩模的背面配置基板的步骤;和
通过在所述梯形掩模间的空隙处露出的所述基板的表面,堆积规定的物质,形成按所述空隙的数目排列设置多个、且其剖面形状包含锥形形状的薄膜的薄膜形成步骤。
8.根据权利要求7所述的成膜方法,其特征在于,
所述规定的物质相对所述空隙处露出的所述基板的整个表面倾斜飞散。
9.根据权利要求7或8所述的成膜方法,其特征在于,
包括在所述薄膜形成步骤之前形成发光元件的步骤,该发光元件形成步骤包括在所述基板上,
第一、形成下层侧电极的步骤,
第二、形成发光功能层的步骤,
第三、形成上层侧电极的步骤;
所述薄膜形成步骤包括实施在所述空隙处露出的所述上层侧电极的表面,形成辅助电极作为所述薄膜的步骤;并且
包括在该薄膜形成步骤之后,在所述辅助电极上进一步形成防止水及氧的至少一方进入到所述发光元件的屏障层的步骤。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的