[发明专利]一种改善浅沟槽绝缘结构的方法

权利要求书

1.一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1、提供一种半导体衬底，衬底上具有浅沟槽结构，包括浅沟槽结构表面的衬底表面覆盖有一层阻挡层，该阻挡层的材料为氮化物，浅沟槽结构的表面的阻挡层的厚度小于衬底表面其他位置的阻挡层厚度；

步骤2、在半导体衬底上沉积光阻，该光阻覆盖在半导体衬底的阻挡层上方，在浅沟槽结构上方的光阻高度低于其他位置的光阻高度；

步骤3、通过等离子体蚀刻光阻，直到浅沟槽结构的上边缘处的阻挡层的氮化物暴露；

步骤4、对没有光阻覆盖处的阻挡层进行干蚀刻，去除一部分阻挡层。

2.根据权利要求1所述的一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于所述步骤3中，通过调整源电压和射频功率控制等离子体的浓度和能量。

3.根据权利要求1所述的一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于所述步骤4中，在浅沟槽结构侧边的阻挡层被去除，暴露出衬底。

4.根据权利要求1所述的一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于还包括步骤4之后酸性蚀刻剂清洗去除浅沟槽结构内的光阻的过程。

5.根据权利要求1所述的一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于步骤3中用于蚀刻的等离子体与步骤4中蚀刻用气体的成分不同。

6.根据权利要求1所述的一种改善浅沟槽绝缘结构的方法，其特征在于步骤3中，如果设定光阻的RF源电压为308V，则SIN层对应的RF功率范围控制在700～900W。