[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种包括薄膜晶体管的半导体装置，包括：

包括内侧区域和端部的栅电极；

形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，该半导体膜重叠于所述内 侧区域，并且不重叠于所述端部；

以覆盖所述半导体膜的顶面和侧面的方式形成的缓冲层；

所述缓冲层上的源区，

所述缓冲层上的漏区，

形成在所述源区和所述缓冲层上的源极布线；以及

形成在所述漏区和所述缓冲层上的漏极布线，

其中，所述半导体膜的侧面夹着所述缓冲层与所述源极布线及所 述漏极布线中的任一个面对。

2.一种包括薄膜晶体管的半导体装置，包括：

包括内侧区域和端部的栅电极；

形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，该半导体膜重叠于所述内 侧区域，并且不重叠于所述端部；

以覆盖所述半导体膜的顶面及侧面的方式形成的缓冲层；

在所述缓冲层上的源区；

在所述缓冲层上的漏区；

形成在所述源区和所述缓冲层上的源极布线；以及

形成在所述漏区和所述缓冲层上的漏极布线，

其中，所述半导体膜的侧面夹着所述缓冲层与所述源极布线及所 述漏极布线中的任一个面对，

并且，所述缓冲层为非晶半导体膜。

3.一种包括薄膜晶体管的半导体装置，包括：

包括内侧区域和端部的栅电极；

形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，该半导体膜重叠于所述内 侧区域，并且不重叠于所述端部；

形成在所述半导体膜上的第一缓冲层；

覆盖所述第一缓冲层的顶面和侧面以及所述半导体膜的侧面的 第二缓冲层；

形成在所述第二缓冲层上的源区；

形成在所述第二缓冲层上的漏区；

形成在所述源区上的源极布线；以及

形成在所述漏区上的漏极布线，

其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层的每个为非晶半导体 膜，

并且，所述半导体膜的侧面夹着所述第二缓冲层与所述源极布线 及所述漏极布线中的任一个面对。

4.一种包括薄膜晶体管的半导体装置，包括：

包括内侧区域和端部的栅电极；

形成在所述栅电极上的栅极绝缘膜；

形成在所述栅极绝缘膜上的半导体膜，该半导体膜重叠于所述内 侧区域，并且不重叠于所述端部；

形成在所述半导体膜上的缓冲层；

以覆盖所述半导体膜的侧面及所述缓冲层的侧面的方式形成的 绝缘膜；

形成在所述绝缘膜上的通过第一接触孔连接到所述缓冲层的源 区；

形成在所述绝缘膜上的通过第二接触孔连接到所述缓冲层的漏 区；

形成在所述源区上的源极布线；以及

形成在所述漏区上的漏极布线，

其中，所述缓冲层为非晶半导体膜，

并且，所述半导体膜的侧面夹着所述绝缘膜与所述源极布线及所 述漏极布线中的任一个面对。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半 导体膜包含用作供体的杂质元素。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半 导体膜为选自以下组中的一种，即非晶硅膜、非晶硅锗膜、非晶锗膜、 微晶硅膜、微晶硅锗膜、微晶锗膜、多晶硅膜、多晶硅锗膜、以及多 晶锗膜。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半 导体膜包括：添加有杂质元素的晶粒；以及以覆盖所述晶粒的方式形 成的添加有锗的第一半导体膜。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，杂质元 素为磷、砷或锑中的任一种。

9.根据权利要求1-4中任一项所述的半导体装置，其中，所述半 导体装置为显示装置。