[发明专利]电介质瓷器组合物和电子部件有效
申请号: | 200810183711.1 | 申请日: | 2008-12-11 |
公开(公告)号: | CN101456727A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 阿满三四郎;宫内真理;关秀明 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 熊玉兰;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 瓷器 组合 电子 部件 | ||
1.一种电介质瓷器组合物,其是具有BamTiO2+m和BanZrO2+n的电 介质瓷器组合物,其中,m满足0.99≤m≤1.01,n满足0.99≤n≤1.01, 其特征在于,以BanZrO2+n换算时,上述BanZrO2+n相对于100摩尔上述 BamTiO2+m的比例为35摩尔~65摩尔,
上述电介质瓷器组合物由2个以上的电介质粒子和存在于相邻接的 上述电介质粒子间的晶界相构成,
当设以BamTiO2+m为主成分的上述电介质粒子为第1电介质粒子、 以BanZrO2+n为主成分的上述电介质粒子为第2电介质粒子、上述第1 电介质粒子的平均结晶粒径为D1μm、上述第2电介质粒子的平均结 晶粒径为D2μm时,上述D2与上述D1之比D2/D1为0.04~0.33,上 述D2为0.02μm~0.25μm,
上述电介质瓷器组合物中,上述第2电介质粒子的总个数与上述第 1电介质粒子的总个数之比为0.10~2。
2.根据权利要求1所述的电介质瓷器组合物,其中,上述第1电 介质粒子中固溶有BanZrO2+n。
3.根据权利要求1或2所述的电介质瓷器组合物,其中,上述第2 电介质粒子存在于上述第1电介质粒子间存在的晶界相附近。
4.根据权利要求1或2所述的电介质瓷器组合物,其中,
还含有Mg的氧化物,R的氧化物,选自Mn、Cr、Co和Fe的至少 一种元素的氧化物,和选自Si、Li、Al、Ge和B的至少一种元素的氧 化物,所述R的氧化物中,R为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、 Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种元素;
相对100摩尔上述BamTiO2+m,以各成分的氧化物或复合氧化物换 算的比例为:
Mg的氧化物:4摩尔~12摩尔、
R的氧化物:4摩尔~15摩尔、
Mn、Cr、Co和Fe的氧化物:0.5摩尔~3摩尔、
Si、Li、Al、Ge和B的氧化物:3摩尔~9摩尔。
5.一种电子部件,其具有电介质层和内部电极层,上述电介质层 含有权利要求1或2所述的电介质瓷器组合物。
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