[发明专利]电介质瓷器组合物和电子部件有效
申请号: | 200810183711.1 | 申请日: | 2008-12-11 |
公开(公告)号: | CN101456727A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 阿满三四郎;宫内真理;关秀明 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | C04B35/468 | 分类号: | C04B35/468 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 熊玉兰;李平英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 电介质 瓷器 组合 电子 部件 | ||
技术领域
本发明涉及具有耐还原性的电介质瓷器组合物以及在电介质层具 有该电介质瓷器组合物的电子部件,更详细地说,本发明涉及适合用于 额定电压高(例如100V以上)的中高压用途的电介质瓷器组合物和电子 部件。
背景技术
多层陶瓷电容器是电子部件的一例,其是例如将含有规定的电介质 瓷器组合物的陶瓷生片材和规定图案的内部电极层相互叠置,其后对经 一体化得到的生片同时烧成,由此制造的多层陶瓷电容器。多层陶瓷电 容器的内部电极层要经烧成与陶瓷电介质形成一体,所以其材料需要选 择不与陶瓷电介质反应的材料。因此,作为构成内部电极层的材料,以 往不得不使用铂、钯等价格高的贵金属。
但是,近年开发了能够使用镍、铜等低成本的贱金属的电介质瓷器 组合物,实现了成本的大幅下降。
另一方面,随着电子电路的高密度化,对电子部件的小型化的要求 越来越大,多层陶瓷电容器的小型/大电容化的进展速度非常快。与此相 伴,多层陶瓷电容器中的每1层的电介质层向薄层化发展,并且正在寻 求即使进行薄层化也能够维持电容器的可靠性的电介质瓷器组合物。特 别是在高的额定电压(例如、100V以上)使用的中高压用电容器的小型/ 大电容化方面,要求构成电介质层的电介质瓷器组合物具有非常高的可 靠性。
为了对应该要求,例如日本特许第3567759号公报公开了一种电介 质瓷器组合物,作为高频率/高电压交流下使用的电容器用的电介质瓷器 组合物,其中,相对于以组成式:ABO3+aR+bM(其中,ABO3是钛酸 钡系固溶体,R是La等金属元素的氧化物,M是Mn等金属元素的氧化 物)表示的主成分,含有烧结助剂作为副成分,所述烧结助剂含有B元 素和Si元素之中的至少一种元素。另外,该日本特许第3567759号公报 中还记载了相对于主成分中以ABO3表示的1摩尔钛酸钡固溶体,在0.35 摩尔以下的范围添加XZrO3(其中,X是选自Ba、Sr、Ca的至少一种 金属元素)作为主成分中的添加成分。
另外,日本特开2006-321670号公报中公开了一种电介质陶瓷组合 物,其以BaTiO3和BaZrO3为主成分,相对于这些物质的混合比例为8: 2~6:4的混合物,还含有3摩尔%~12摩尔%稀土类、0.5摩尔%~3.5 摩尔%Mn、1摩尔%~7摩尔%Mg。
但是,由于耐压(击穿电压)低、寿命特性(绝缘阻力的加速寿命)不足, 日本特许第3567759号公报中存在可靠性差的问题。特别在将多层陶瓷 电容器小型/大电容化的情况下,该问题变得明显,所以为了实现小型/ 大电容化,希望提高耐压。此外,日本特开2006-321670号公报中对于 多层陶瓷电容器的耐压(击穿电压)没有任何说明,其未解决该问题。
发明内容
鉴于这种情况,本发明的目的在于提供一种电介质瓷器组合物和在 电介质层具有该电介质瓷器组合物的电子部件,所述电介质瓷器组合物 能够在还原性气氛中烧成,施加电压时的电致伸缩量小,能够在保持比 介电常数和电容温度特性良好的情况下提高耐压(击穿电压)。
为了实现上述目的,本发明人进行了深入研究,结果发现,使以锆 酸钡为主成分的粒子在特定的条件下相对以钛酸钡为主成分的粒子存 在的情况下,能够在保持比介电常数、电容温度特性等各种特性良好的 情况下提高耐压(击穿电压),从而完成了本发明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810183711.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:气相腐蚀抑制剂及其制备方法
- 下一篇:用于横动纱线的横动导纱器