[发明专利]线路板工艺有效
申请号: | 200810183763.9 | 申请日: | 2008-12-15 |
公开(公告)号: | CN101752262A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 余丞博 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46;H05K3/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路板 工艺 | ||
1.一种线路板工艺,包括:
提供线路基材,该线路基材具有上表面与第一线路图案,其中该第一线 路图案位于该上表面上;
形成具有导电结构的介电层于该线路基材上,该介电层覆盖该上表面与 该第一线路图案,该导电结构嵌入该介电层中且电性连接至该第一线路图 案,其中该导电结构的表面与该介电层的表面实质上切齐;
形成凹刻图案于该介电层的表面上,其中该凹刻图案与该导电结构相连 接;以及
配置导电材料于该凹刻图案内,以形成第二线路图案,其中该第二线路 图案藉由该导电结构电性连接至该第一线路图案,且该第二线路图案与该介 电层的表面实质上切齐。
2.如权利要求1所述的线路板工艺,其中形成该凹刻图案的方法包括激 光烧蚀、等离子体蚀刻或机械加工工艺。
3.如权利要求1所述的线路板工艺,其中该介电层的材质包括高分子聚 合物。
4.如权利要求1所述的线路板工艺,其中该介电层包括多颗触媒颗粒。
5.如权利要求4所述的线路板工艺,其中该些触媒颗粒包括多个纳米金 属颗粒。
6.如权利要求4所述的线路板工艺,其中该些触媒颗粒的材质包括多个 过渡金属配位化合物。
7.如权利要求4所述的线路板工艺,其中在该介电层的表面上形成该凹 刻图案的同时,还包括活化部分的该些触媒颗粒,以形成活化层于该凹刻图 案的内面。
8.如权利要求7所述的线路板工艺,其中形成该第二线路图案于该凹刻 图案内的方法包括化学沉积法。
9.如权利要求1所述的线路板工艺,其中形成具有该导电结构的该介电 层的步骤,包括:
形成铜箔层于该介电层的表面上;
对形成有该铜箔层的该介电层照射激光,以形成至少一从该铜箔层延伸 至该第一线路图案的盲孔结构;
形成电镀种子层于该盲孔结构内与该铜箔层的表面;
透过该电镀种子层而电镀形成导电层;以及
移除部分该导电层、部分该电镀种子层及该铜箔层,以形成该导电结构 并暴露出该介电层的表面。
10.如权利要求9所述的线路板工艺,其中移除部分该导电层、部分该 电镀种子层以及该铜箔层的方法包括蚀刻或研磨。
11.如权利要求1所述的线路板工艺,其中形成具有该导电结构的该介 电层的步骤,包括:
形成导电锥于该第一线路图案上;以及
压合该介电层于该线路基材上,其中该导电锥贯穿该介电层,以构成该 导电结构。
12.如权利要求11所述的线路板工艺,其中形成该导电锥的方法包括印 刷或打线。
13.一种线路板工艺,包括:
提供线路基材,该线路基材具有上表面与第一线路图案,其中该第一线 路图案位于该上表面上;
形成具有导电结构的介电层于该线路基材上,该介电层覆盖该上表面与 该第一线路图案,该导电结构嵌入该介电层中且电性连接至该第一线路图 案,其中该导电结构的表面高于该介电层的表面;
形成凹刻图案于该介电层的表面上,其中该凹刻图案与该导电结构相连 接;以及
配置导电材料于该凹刻图案内,以形成第二线路图案,其中该第二线路 图案藉由该导电结构电性连接至该第一线路图案,且该第二线路图案与该介 电层的表面实质上切齐,
其中形成具有该导电结构的该介电层的步骤,包括:
形成铜箔层于该介电层的表面上;
对形成有该铜箔层的该介电层照射激光,以形成至少一从该铜箔层延伸 至该第一线路图案的盲孔结构;
填入导电材料于该盲孔结构中,以形成该导电结构;以及
移除该铜箔层,以暴露出该介电层的表面。
14.如权利要求13所述的线路板工艺,其中该导电材料包括金属导电膏 或高分子导电材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造