[发明专利]线路板工艺有效

专利信息
申请号: 200810183763.9 申请日: 2008-12-15
公开(公告)号: CN101752262A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 余丞博 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H05K3/46;H05K3/42
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 屈玉华
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 线路板 工艺
【权利要求书】:

1.一种线路板工艺,包括:

提供线路基材,该线路基材具有上表面与第一线路图案,其中该第一线 路图案位于该上表面上;

形成具有导电结构的介电层于该线路基材上,该介电层覆盖该上表面与 该第一线路图案,该导电结构嵌入该介电层中且电性连接至该第一线路图 案,其中该导电结构的表面与该介电层的表面实质上切齐;

形成凹刻图案于该介电层的表面上,其中该凹刻图案与该导电结构相连 接;以及

配置导电材料于该凹刻图案内,以形成第二线路图案,其中该第二线路 图案藉由该导电结构电性连接至该第一线路图案,且该第二线路图案与该介 电层的表面实质上切齐。

2.如权利要求1所述的线路板工艺,其中形成该凹刻图案的方法包括激 光烧蚀、等离子体蚀刻或机械加工工艺。

3.如权利要求1所述的线路板工艺,其中该介电层的材质包括高分子聚 合物。

4.如权利要求1所述的线路板工艺,其中该介电层包括多颗触媒颗粒。

5.如权利要求4所述的线路板工艺,其中该些触媒颗粒包括多个纳米金 属颗粒。

6.如权利要求4所述的线路板工艺,其中该些触媒颗粒的材质包括多个 过渡金属配位化合物。

7.如权利要求4所述的线路板工艺,其中在该介电层的表面上形成该凹 刻图案的同时,还包括活化部分的该些触媒颗粒,以形成活化层于该凹刻图 案的内面。

8.如权利要求7所述的线路板工艺,其中形成该第二线路图案于该凹刻 图案内的方法包括化学沉积法。

9.如权利要求1所述的线路板工艺,其中形成具有该导电结构的该介电 层的步骤,包括:

形成铜箔层于该介电层的表面上;

对形成有该铜箔层的该介电层照射激光,以形成至少一从该铜箔层延伸 至该第一线路图案的盲孔结构;

形成电镀种子层于该盲孔结构内与该铜箔层的表面;

透过该电镀种子层而电镀形成导电层;以及

移除部分该导电层、部分该电镀种子层及该铜箔层,以形成该导电结构 并暴露出该介电层的表面。

10.如权利要求9所述的线路板工艺,其中移除部分该导电层、部分该 电镀种子层以及该铜箔层的方法包括蚀刻或研磨。

11.如权利要求1所述的线路板工艺,其中形成具有该导电结构的该介 电层的步骤,包括:

形成导电锥于该第一线路图案上;以及

压合该介电层于该线路基材上,其中该导电锥贯穿该介电层,以构成该 导电结构。

12.如权利要求11所述的线路板工艺,其中形成该导电锥的方法包括印 刷或打线。

13.一种线路板工艺,包括:

提供线路基材,该线路基材具有上表面与第一线路图案,其中该第一线 路图案位于该上表面上;

形成具有导电结构的介电层于该线路基材上,该介电层覆盖该上表面与 该第一线路图案,该导电结构嵌入该介电层中且电性连接至该第一线路图 案,其中该导电结构的表面高于该介电层的表面;

形成凹刻图案于该介电层的表面上,其中该凹刻图案与该导电结构相连 接;以及

配置导电材料于该凹刻图案内,以形成第二线路图案,其中该第二线路 图案藉由该导电结构电性连接至该第一线路图案,且该第二线路图案与该介 电层的表面实质上切齐,

其中形成具有该导电结构的该介电层的步骤,包括:

形成铜箔层于该介电层的表面上;

对形成有该铜箔层的该介电层照射激光,以形成至少一从该铜箔层延伸 至该第一线路图案的盲孔结构;

填入导电材料于该盲孔结构中,以形成该导电结构;以及

移除该铜箔层,以暴露出该介电层的表面。

14.如权利要求13所述的线路板工艺,其中该导电材料包括金属导电膏 或高分子导电材料。

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