[发明专利]线路板工艺有效
申请号: | 200810183763.9 | 申请日: | 2008-12-15 |
公开(公告)号: | CN101752262A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 余丞博 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H05K3/46;H05K3/42 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路板 工艺 | ||
技术领域
本发明是有关于一种线路板工艺,且特别是有关于一种具有高密度内连 线(High Density Interconnection,HDI)的线路板工艺。
背景技术
在目前的半导体封装工艺中,由于线路板具有布线细密、组装紧凑及性 能良好等优点,使得线路板已成为经常使用的构装元件之一。线路板能与多 个电子元件(electronic component)组装,而这些电子元件例如是芯片(chip) 与被动元件(passive component)。透过线路板,这些电子元件得以彼此电性 连接,而讯号才能在这些电子元件的间传递。
一般而言,线路板主要是由多层图案化线路层(patterned circuit layer) 及多层介电层(dielectric layer)交替叠合而成,并藉由导电盲孔(conductive via)以达成图案化线路层彼此的间的电性连接。由于近年来电子产品走向小 型、轻量、薄型、高速、高机能、高密度、低成本化,以及电子元件封装技 术亦朝向高脚数、精细化与集积化发展,因此线路板亦走向高密度布线、细 线小孔化、复合多层化、薄板化发展。
高密度内连线(HDI)的线路板是指利用导电盲孔搭配线路层与微间距 (fine pitch)以达到高度互联的一种技术,使在相同单位面积中能够搭载更 多电子元件或是容纳更多的线路。由于高密度内连线的线路板包含多层线路 层,因此各层线路层间良好的电性连通成为高密度内连线的线路板的关键之 一。
发明内容
本发明提供一种线路板工艺,用以制作一具有高密度内连线的线路板。
本发明提出一种线路板工艺。首先,提供一线路基材。线路基材具有一 上表面与一第一线路图案,其中第一线路图案位于上表面上。接着,形成一 具有一导电结构的介电层于线路基材上。介电层覆盖上表面与第一线路图 案。导电结构嵌入介电层中且电性连接至第一线路图案。形成一凹刻图案于 介电层的表面上,其中凹刻图案与导电结构相连接。最后,配置导电材料于 凹刻图案内,以形成一第二线路图案,其中第二线路图案藉由导电结构电性 连接至第一线路图案。
在本发明的一实施例中,上述的形成凹刻图案的方法包括激光烧蚀、等 离子体蚀刻或机械加工工艺。
在本发明的一实施例中,上述的介电层的材质包括高分子聚合物。
在本发明的一实施例中,上述的介电层包括多颗触媒颗粒。
在本发明的一实施例中,上述的这些触媒颗粒包括多个纳米金属颗粒。
在本发明的一实施例中,上述的这些触媒颗粒的材质包括多个过渡金属 配位化合物。
在本发明的一实施例中,上述的在介电层的表面上形成凹刻图案的同 时,还包括活化部分的这些触媒颗粒,以形成一活化层于凹刻图案的内面。
在本发明的一实施例中,上述的形成第二线路图案于凹刻图案内的方法 包括化学沉积法。
在本发明的一实施例中,上述的形成具有导电结构的介电层的步骤,首 先,形成一铜箔层于介电层的表面上。接着,对形成有铜箔层的介电层照射 一激光,以形成至少一从铜箔层延伸至第一线路图案的盲孔结构。形成一电 镀种子层于盲孔结构内与铜箔层的表面。透过电镀种子层而电镀形成一导电 层。最后,移除部分导电层、部分电镀种子层及铜箔层,以形成导电结构并 暴露出介电层的表面。
在本发明的一实施例中,上述的移除部分导电层、部分电镀种子层及铜 箔层的方法包括蚀刻或研磨。
在本发明的一实施例中,上述的形成具有导电结构的介电层的步骤,首 先,形成一铜箔层于介电层的表面上。接着,对形成有铜箔层的介电层照射 一激光,以形成至少一从铜箔层延伸至第一线路图案的盲孔结构。填入导电 材料于盲孔结构中,以形成导电结构。最后,移除铜箔层,以暴露出介电层 的表面。
在本发明的一实施例中,上述的导电材料包括金属导电膏或高分子导电 材料。
在本发明的一实施例中,上述的形成具有导电结构的介电层的步骤,首 先,形成一导电锥于第一线路图案上,接着,压合介电层于线路基材上,其 中导电锥贯穿介电层,以构成导电结构。
在本发明的一实施例中,上述的形成导电锥的方法包括印刷或打线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造