[发明专利]保护层及其制备方法和含该保护层的等离子体显示面板

权利要求书

1.一种用于等离子体显示面板的保护层，包括：

含镁氧化物层；和

在所述含镁氧化物层表面上形成的含镁氧化物颗粒，所述含镁氧化物颗 粒具有镁空位杂质中心，其中所述含镁氧化物颗粒包含导致所述镁空位杂质 中心的稀土元素。

2.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物颗粒的阴极射 线发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到6eV范围内的峰。

3.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物颗粒的阴极射线 发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到4.2eV范围内的峰。

4.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物颗粒的阴极射线 发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.35eV到3.87eV范围内的峰。

5.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物层还包含稀土 元素。

6.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物层还包含选自 Al、Ca和Si组成的组的元素。

7.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物颗粒中包含的所 述稀土元素是Sc。

8.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物颗粒还包含选 自Al、Ca和Si元素组成的组的元素。

9.根据权利要求1所述的保护层，其中所述含镁氧化物颗粒具有50nm 到2μm的平均颗粒直径。

10.一种形成用于等离子体显示面板的保护层的方法，该方法包括：

在基板上形成含镁氧化物层；

制备含镁氧化物颗粒；和

将所述含镁氧化物颗粒附着到所述含镁氧化物层的表面，

其中所述含镁氧化物颗粒具有镁空位杂质中心，且包含导致所述镁空位 杂质中心的稀土元素。

11.根据权利要求10所述的方法，其中将所述含镁氧化物颗粒附着到 所述含镁氧化物层包括：

将镁氧化物颗粒和溶剂的混合物施加到所述含镁氧化物层的表面；以及

对所施加的混合物进行热处理。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述溶剂包含乙醇和异丙醇中 的至少一种。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述热处理是在80℃到350℃ 的温度下进行的。

14.一种等离子体显示面板包括：

第一基板；

面对所述第一基板的第二基板；

多个隔垫肋，其限定放电单元并设置在所述第一基板与所述第二基板之 间；

寻址电极，其沿所述放电单元的第一方向延伸并被第二电介质层覆盖；

维持电极，其沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸并被第一电介质层 覆盖；

在所述第一电介质层上或所述第二电介质层上形成的保护层，该保护层 包括：

含镁氧化物层；和

在所述含镁氧化物层的表面上形成的含镁氧化物颗粒，所述含镁氧 化物颗粒具有镁空位杂质中心，其中所述含镁氧化物颗粒包含导致所述 镁空位杂质中心的稀土元素；

在所述放电单元内形成的磷光体层；以及

填充所述放电单元的放电气体。

15.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其中所述含镁氧化物 颗粒的阴极射线发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到6eV范 围内的峰。

16.根据权利要求14所述的等离子体显示面板，其中所述含镁氧化物颗 粒的阴极射线发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到4.2eV范围 内的峰。