[发明专利]保护层及其制备方法和含该保护层的等离子体显示面板无效

专利信息
申请号: 200810183768.1 申请日: 2008-12-15
公开(公告)号: CN101459022A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 李玟锡;崔钟书;金奭基;尤里·马图莱维科;金哉赫;徐淳星;秋希伶 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J17/02 分类号: H01J17/02;H01J9/00;H01J17/49
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 保护层 及其 制备 方法 等离子体 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种用于等离子体显示面板的保护层,包括:

含镁氧化物层;和

在所述含镁氧化物层表面上形成的含镁氧化物颗粒,所述含镁氧化物颗 粒具有镁空位杂质中心,其中所述含镁氧化物颗粒包含导致所述镁空位杂质 中心的稀土元素。

2.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物颗粒的阴极射 线发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到6eV范围内的峰。

3.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物颗粒的阴极射线 发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到4.2eV范围内的峰。

4.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物颗粒的阴极射线 发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.35eV到3.87eV范围内的峰。

5.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物层还包含稀土 元素。

6.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物层还包含选自 Al、Ca和Si组成的组的元素。

7.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物颗粒中包含的所 述稀土元素是Sc。

8.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物颗粒还包含选 自Al、Ca和Si元素组成的组的元素。

9.根据权利要求1所述的保护层,其中所述含镁氧化物颗粒具有50nm 到2μm的平均颗粒直径。

10.一种形成用于等离子体显示面板的保护层的方法,该方法包括:

在基板上形成含镁氧化物层;

制备含镁氧化物颗粒;和

将所述含镁氧化物颗粒附着到所述含镁氧化物层的表面,

其中所述含镁氧化物颗粒具有镁空位杂质中心,且包含导致所述镁空位 杂质中心的稀土元素。

11.根据权利要求10所述的方法,其中将所述含镁氧化物颗粒附着到 所述含镁氧化物层包括:

将镁氧化物颗粒和溶剂的混合物施加到所述含镁氧化物层的表面;以及

对所施加的混合物进行热处理。

12.根据权利要求11所述的方法,其中所述溶剂包含乙醇和异丙醇中 的至少一种。

13.根据权利要求11所述的方法,其中所述热处理是在80℃到350℃ 的温度下进行的。

14.一种等离子体显示面板包括:

第一基板;

面对所述第一基板的第二基板;

多个隔垫肋,其限定放电单元并设置在所述第一基板与所述第二基板之 间;

寻址电极,其沿所述放电单元的第一方向延伸并被第二电介质层覆盖;

维持电极,其沿与所述第一方向垂直的第二方向延伸并被第一电介质层 覆盖;

在所述第一电介质层上或所述第二电介质层上形成的保护层,该保护层 包括:

含镁氧化物层;和

在所述含镁氧化物层的表面上形成的含镁氧化物颗粒,所述含镁氧 化物颗粒具有镁空位杂质中心,其中所述含镁氧化物颗粒包含导致所述 镁空位杂质中心的稀土元素;

在所述放电单元内形成的磷光体层;以及

填充所述放电单元的放电气体。

15.根据权利要求14所述的等离子体显示面板,其中所述含镁氧化物 颗粒的阴极射线发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到6eV范 围内的峰。

16.根据权利要求14所述的等离子体显示面板,其中所述含镁氧化物颗 粒的阴极射线发光发射谱具有来自空位杂质中心的在3.1eV到4.2eV范围 内的峰。

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