[发明专利]制造氧化铝纳米孔阵列的方法、及制造磁记录介质的方法无效
| 申请号： | 200810184312.7 | 申请日： | 2008-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101451259A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 津田孝一 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子技术株式会社 |
| 主分类号： | C25D11/04 | 分类号： | C25D11/04;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张 鑫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 氧化铝 纳米 阵列 方法 记录 介质 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造氧化铝纳米孔阵列的方法，包括以下步骤：
(1)在-80℃或更低的基板温度下在基板上形成铝薄膜；以及
(2)阳极氧化所述铝薄膜。
2.如权利要求1所述的氧化铝纳米孔阵列的制造方法，其特征在于，所述铝薄膜由具有至少99.9％铝纯度的铝材料构成。
3.一种制造氧化铝纳米孔阵列的方法，依次包括以下步骤：
(1)在-80℃或更低的基板温度下在基板上形成铝薄膜；
(2)通过将其上具有有序凸起阵列的压模压向所述铝薄膜以在所述铝薄膜上形成凹点，由此使所述铝薄膜具有纹理；以及
(3)阳极氧化所述铝薄膜。
4.如权利要求1所述的制造氧化铝纳米孔阵列的方法，其特征在于，所述铝薄膜由具有至少99.9％纯度的铝材料构成。
5.如权利要求4所述的制造氧化铝纳米孔阵列的方法，其特征在于，在执行所述形成纹理步骤(2)的同时将所述压模和所述铝薄膜保持在150℃至200℃的温度。
6.一种可通过如权利要求1至5中任一项所述的制造方法制造的氧化铝纳米孔阵列。
7.一种制造磁记录介质的方法，包括在如权利要求6所述的氧化铝纳米孔阵列的孔内形成磁性层的步骤。
8.一种通过如权利要求7所述的方法制造的磁记录介质。
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