[发明专利]制造氧化铝纳米孔阵列的方法、及制造磁记录介质的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种制造可用于构造各种纳米器件的铝薄膜的方法，该纳米器件包括构建成诸如计算机的外部存储设备之类的各种磁性记录设备的磁记录介质。本发明附加地涉及一种制造氧化铝纳米孔阵列的方法、以及一种使用由此生产出的铝薄膜制造磁记录介质的方法。

背景技术

伴随着磁盘中高密度存储器的最近趋势而来的是磁记录方法从常规的面内记录(纵向记录)向垂直记录的转变。垂直记录方法的开发已显著地改进了记录密度。使用面内记录时，记录密度的上限约为100千兆位/平方英寸(GB/in²)，而当今的记录密度已超过400GB/in²。

然而，第一代简单垂直记录方法中可达到的记录密度的限值是400GB/in²。其理由如下：增大记录密度需要位大小变得更小。然而，在位大小被减小时，由于热波动、即磁化的随机反转引起的位劣化具有上升趋势。满足以下公式(1)是用于防止由这种热波动引起的位劣化的必要条件。

[公式1]

KuVkT>60---(1)]]>

在公式(1)中，K_u是单轴磁各向异性常数，V是磁记录层每位的体积，k是玻耳兹曼常数，而T是绝对温度。公式(1)的右侧称为热稳定性指数。

即，为克服随着位大小变小的体积V的不可避免的减小而引起的热波动的不稳定性，有必要增大热稳定性指数。如果工作温度固定，则必须增大单轴磁各向异性常数K_u的值。

K_u是取决于磁性材料的常数，且适用于公式(2)中的关系。

[公式2]

Hc=2KuMs-Ms(Nz-Ny)---(2)]]>

在这里，H_c是磁矫顽力，M_s是饱和磁化强度，且N_z和N_y分别是z方向和y方向上的去磁系数。

从以上公式(2)显然可见，磁矫顽力H_c与K_u具有正相关性。即，如果如上所述为克服热波动而选择具有大K_u的磁性材料，则表示反转磁化的磁场强度的磁矫顽力H_c也增大，这使得磁头更难以反转磁化，且依次使得信息更难以写入磁记录介质。诸如“与更高密度相关联的体积的减小”、“记录的长期稳定性与热波动”、以及“由更高磁矫顽力H_c引起的记录困难”之类的挑战都复杂地纠缠在一起，从而呈现出仅通过早期方法的延伸不可能实现更高密度记录的解决方案的“三难选择”。

最近为解决这种三难选择已提出多种方法。在这些方法中，一种有前景的方法是热辅助磁记录。