[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上方依次形成第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜；然后

形成延伸穿过所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的第一通孔，以暴露部分所述半导体衬底；然后

使用第一树脂材料填充所述第一通孔；然后

同时形成延伸穿过所述第二层间绝缘膜并且部分位于所述第一层间绝缘膜中的第二通孔和第三通孔，以暴露部分所述第一层间绝缘膜；然后

同时填充所述第二通孔和所述第三通孔，其中使用第二树脂材料填充所述第二通孔，并使用第三树脂材料填充所述第三通孔；然后

同时形成延伸穿过所述第二层间绝缘膜并且部分位于所述第一层间绝缘膜中的第四通孔、第五通孔和沟槽，其中所述沟槽形成为在空间上位于所述第一通孔上方并与其对应；然后

移除所述第一树脂材料、所述第二树脂材料和所述第三树脂材料，以分别暴露所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔；然后

分别在所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔和所述沟槽中同时形成第一通路、第二通路、第三通路、第四通路、第五通路和接触件。

2.如权利要求1所述的方法，其中依次形成所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的步骤包括：

在所述半导体衬底上形成第一介电膜；然后

在所述第一介电膜上形成第二介电膜。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述第一介电膜包括氟硅酸盐玻璃。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第二介电膜包括氮化硅。

5.如权利要求2所述的方法，其中所述第二介电膜包括氧化物。

6.如权利要求1所述的方法，其中形成所述第一通孔的步骤包括：

在所述第二层间绝缘膜上形成第一光致抗蚀剂膜，然后形成第一光致抗蚀剂膜图案；然后

使用所述第一光致抗蚀剂膜图案作为掩模，在所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜上实施第一蚀刻工艺，从而形成所述第一通孔；然后移除所述第一光致抗蚀剂膜图案。

7.如权利要求1所述的方法，其中同时形成所述第二通孔和所述第三通孔的步骤包括：

在所述第二层间绝缘膜上形成第二光致抗蚀剂膜，然后形成第二光致抗蚀剂膜图案；然后

使用所述第二光致抗蚀剂膜图案作为掩模，在所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜上实施第二蚀刻工艺，从而形成所述第二通孔和所述第三通孔；然后

移除所述第二光致抗蚀剂膜图案。

8.如权利要求1所述的方法，其中同时形成所述第四通孔、所述第五通孔和所述沟槽的步骤包括：

在所述第二层间绝缘膜上形成第三光致抗蚀剂膜，然后形成第三光致抗蚀剂膜图案；然后

使用所述第三光致抗蚀剂膜图案，在所述第一层间绝缘膜、所述第二层间绝缘膜和所述第一树脂材料上实施第三蚀刻工艺，从而形成所述第四通孔、所述第五通孔和所述沟槽；然后

移除所述第三光致抗蚀剂膜图案。

9.如权利要求1所述的方法，其中同时形成所述第一通路、所述第二通路、所述第三通路、所述第四通路、所述第五通路和所述接触件的步骤包括：

在所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔和所述沟槽的侧壁上形成阻挡层；然后

在所述阻挡层上形成金属层。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述阻挡层包括阻挡金属层。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述阻挡金属层包括钛、钨和钽中的至少一种。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述阻挡金属层包括TaN、Ta、TaN/Ta、TiSiN、WN、TiZrN、TiN和Ti/TiN中的至少一种。

13.如权利要求9所述的方法，其中所述金属层包括铜。