[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请要求享有递交日为2007年12月24号，申请号为10-2007-0136244的韩国专利申请的优先权，在此通过参考引入该申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种用于形成金属线的半导体器件及其制造方法。

背景技术

在半导体的制造中，双重成像(double patterning，DP)是一种用于形成铝线的工艺，该工艺很难应用到双镶嵌工艺中。在一种形成双重图像的方法中，利用硬掩模实施第一光刻工艺。然后，通过第二光刻工艺，在该硬掩模上实施第一蚀刻工艺，接着图案化该硬掩模。然后蚀刻形成在该硬掩模下方的底层金属层以形成金属线。另一种双重成像方法包括使用光致抗蚀剂代替硬掩模来蚀刻底层金属层。在剥离该光致抗蚀剂之后，实施用于蚀刻该金属层的第二光刻工艺以形成最终的金属线。仍然在另一个双重成像方法中，在实施显影工艺之前，实施第一曝光工艺和第二曝光工艺，从而形成最终的金属线。如上所述，由于很难应用于双镶嵌工艺中，因此这种双重成像方法是不适宜的。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体器件，以及一种利用适于形成双镶嵌结构的双重成像工艺来制造半导体器件中的金属线的方法。

本发明的实施例涉及一种半导体器件的制造方法，其至少包括以下步骤之一：在半导体衬底上和/或上方形成层间绝缘膜；然后通过光刻工艺，在该层间绝缘膜中形成第一通孔；然后在该第一通孔中形成树脂；然后通过光刻工艺，形成与该第一通孔邻近的多个第二通孔；然后在所述第二通孔中形成树脂；然后同时形成多个第三通孔和一沟槽，其中所述多个第三通孔通过光刻工艺形成在该第二通孔之间，而该沟槽形成在该第一通孔上和/或上方并与其对应；然后移除形成在该第一通孔和所述第二通孔中的树脂；然后在所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔以及所述沟槽中形成金属层。

本发明的实施例涉及一种半导体器件，其至少包括以下之一：层间绝缘膜，形成在半导体衬底上；第一通路，形成在暴露部分所述半导体衬底的所述层间绝缘膜中；沟槽通路，形成在所述层间绝缘膜中，且该沟槽通路在空间上位于所述第一通孔上方并与其对应；多个第二通路，形成在所述层间绝缘膜中并与所述沟槽通路邻近。

本发明的实施例涉及一种半导体器件的制造方法，其至少包括以下步骤之一：在半导体衬底上形成层间绝缘膜；然后通过第一光刻工艺，在所述层间绝缘膜中形成第一通孔；然后在所述第一通孔中形成树脂材料；通过第二光刻工艺，在与所述第一通孔侧向邻近的所述层间绝缘膜中形成多个第二通孔；然后在所述第二通孔中形成树脂材料；然后同时形成多个第三通孔和一沟槽，其中所述多个第三通孔通过第三光刻工艺形成在所述层间绝缘膜中，而所述沟槽在空间上位于所述第一通孔上方并与其对应；然后移除形成在所述第一通孔和所述第二通孔中的树脂；然后在所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔以及所述沟槽中同时形成金属层。

本发明的实施例涉及一种方法，其至少包括以下步骤之一：在半导体衬底上方依次形成第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜；然后形成延伸穿过所述第一层间绝缘膜和所述第二层间绝缘膜的第一通孔，以暴露部分所述半导体衬底；然后使用第一树脂材料填充所述第一通孔；然后同时形成延伸穿过所述第二层间绝缘膜并且部分位于所述第一层间绝缘膜中的第二通孔和第三通孔，以暴露部分所述第一层间绝缘膜；然后同时填充所述第二通孔和所述第三通孔，其中使用第二树脂材料填充所述第二通孔，并使用第三树脂材料填充所述第三通孔；然后同时形成延伸穿过所述第二层间绝缘膜并且部分位于所述第一层间绝缘膜中的第四通孔、第五通孔和沟槽，其中所述沟槽形成为在空间上位于所述第一通孔上方并与其对应；然后移除所述第一树脂材料、所述第二树脂材料和所述第三树脂材料，以分别暴露所述第一通孔、第二通孔和第三通孔；然后分别在所述第一通孔、第二通孔、第三通孔、第四通孔、第五通孔和所述沟槽中同时形成第一通路、第二通路、第三通路、第四通路、第五通路和接触件。

附图说明

示例性图1A至图1J示出根据实施例的半导体器件的制造方法中的顺序步骤。

具体实施方式