[发明专利]半导体集成电路有效

专利信息
申请号: 200810184383.7 申请日: 2008-12-10
公开(公告)号: CN101471340A 公开(公告)日: 2009-07-01
发明(设计)人: 东井亮 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L23/528
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 集成电路
【权利要求书】:

1.一种半导体集成电路,具备;

ESD保护电路;

构成于所述ESD保护电路上,连接于所述ESD保护电路的连接布线; 和

所述ESD保护电路上通过的信号布线;

所述连接布线分别在布线优先方向是横向的第1布线层、和布线优先 方向是纵向的第2布线层中,包含在与该布线层的布线优先方向一致的方 向上配置的布线;

所述信号布线包含:在所述第1布线层中在横向延伸配置的布线;和 在所述第2布线层中在纵向延伸配置的布线。

2.一种半导体集成电路,具备:

ESD保护电路;和

构成于所述ESD保护电路上,连接于所述ESD保护电路的连线布线;

所述连接布线在至少1个布线层中,由多个布线片留出间隔而排列配 置成阵列状的阵列结构构成,在该布线层中,其他布线能够在横向及纵向 延伸并通过布线片之间,

所述半导体集成电路具备在所述ESD保护电路上通过的信号布线;

所述连接布线在2层以上的布线层中,由所述阵列结构构成;

所述信号布线包含:在配置有所述阵列结构的第1布线层中、在布线 片间在横向延伸而配置的布线;和在配置有所述阵列结构的第2布线层中、 在布线片间在纵向延伸而配置的布线。

3.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路,其特征在于:

所述第1布线层和所述第2布线层在布线层的重叠的方向上相邻。

4.根据权利要求3所述的半导体集成电路,其特征在于:

将配置于所述第1布线层的在横向延伸的信号布线、和配置于所述第 2布线层的在纵向延伸的信号布线在所述ESD保护电路上连接。

5.根据权利要求1或2所述的半导体集成电路,其特征在于:

将所述ESD保护电路配置在内部逻辑区域。

6.根据权利要求5所述的半导体集成电路,其特征在于:

在所述内部逻辑区域上设置有电源供给用PAD;

将所述ESD保护电路配置在所述电源供给用PAD附近。

7.根据权利要求5所述的半导体集成电路,其特征在于:

在所述内部逻辑区域上设置有信号用PAD;

将所述ESD保护电路配置在所述信号用PAD附近。

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