[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

第一导体图案，形成在上述衬底上，具有隔着间隙而相互隔离开的第一图案以及第二图案；

绝缘膜，在上述衬底上以覆盖上述第一导体图案的方式而形成；以及

第二导体图案，形成在上述绝缘膜上，

所述半导体器件的特征在于：

上述第二导体图案在未形成有上述第一导体图案的区域上与上述第一导体图案匹配而形成，且上述第二导体图案未形成在上述间隙上。

2.按照权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述第一图案是作为电极或者布线而发挥功能的图案，

上述第二图案是孤立图案，是被设为浮置电位的图案。

3.按照权利要求2所述的半导体器件，其特征在于：

上述衬底和上述绝缘膜具有透光性。

4.按照权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一图案包含栅电极用的图案，

上述绝缘膜是作为栅极绝缘膜而发挥功能的绝缘膜，

上述第二导体图案包含源电极用的图案和漏电极用的图案，

上述间隙的尺寸小于上述栅电极用的图案的栅极长度。

5.按照权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

形成在上述源电极用的图案和上述漏电极用的图案之间的上述绝缘膜上的半导体层。

6.按照权利要求5所述的半导体器件，其特征在于：

与上述栅电极用的图案之中的、位于上述源电极用的图案和上述漏电极用的图案之间的部分的沟道宽度方向的尺寸相比，上述半导体层的上述沟道宽度方向的尺寸更大。

7.按照权利要求3所述的半导体器件，其特征在于：

上述第一图案包含源电极用的图案和漏电极用的图案，

上述绝缘膜是作为栅极绝缘膜而发挥功能的绝缘膜，

上述第二导体图案包含栅电极用的图案，

上述间隙的尺寸小于上述栅电极用的图案的栅极长度。

8.按照权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，

还包括

半导体层，形成在上述源电极用的图案和上述漏电极用的图案之间的上述衬底上，

上述绝缘膜在上述衬底上以覆盖上述第一导体图案和上述半导体层的方式而形成。

9.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有以下工序：

(a)准备衬底；

(b)在上述衬底上形成具有隔着间隙而相互隔离开的第一图案和第二图案的第一导体图案；

(c)在上述衬底上以覆盖上述第一导体图案的方式而形成绝缘膜；

(d)在上述绝缘膜上形成第一抗蚀膜；

(e)从上述衬底的与形成了上述第一导体图案一侧相反的一侧的主面侧对上述第一抗蚀膜进行曝光，然后对上述第一抗蚀膜进行显影，从而形成第一抗蚀图案；以及

(f)在上述(e)工序之后，在上述第一抗蚀图案未覆盖的上述绝缘膜上形成第一金属膜，然后将上述第一抗蚀图案去除，从而在上述第一抗蚀图案所未覆盖的区域的上述绝缘膜上形成由上述第一金属膜组成的第二导体图案，

其中，上述第一抗蚀图案具有将上述第一图案和上述第二图案没有上述间隙地进行了联结时的上述第一导体图案所对应的图案形状。

10.按照权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

在上述(e)工序中，曝光用的光透过上述衬底和上述绝缘膜而照射到上述第一抗蚀膜，上述第一导体图案作为曝光的掩模而发挥功能。

11.按照权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第一图案是作为电极或者布线而发挥功能的图案，

上述第二图案是孤立图案，是被设为浮置电位的图案。

12.按照权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于：

上述第一抗蚀膜是正性抗蚀膜，

上述第一抗蚀图案形成在上述第一导体图案上和上述间隙上，

上述第二导体图案与上述第一导体图案匹配而形成，且在上述间隙上不形成上述第二导体图案。