[发明专利]咬合式电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种咬合式电路结构，包含：

基材;

介电层，位于该基材上；

沟槽，位于该介电层中；以及

导电材料，填满该沟槽并与该沟槽咬合，其中通过移除一部分介电层使得该导电材料部分嵌入于该沟槽中并部分突出于该沟槽外。

2.如权利要求1的咬合式电路结构，其中该介电层包含聚合物，该聚合物选自于由环氧树脂、改质的环氧树脂、聚脂、丙烯酸酯、氟素聚合物、聚亚苯基氧化物、聚酰亚胺、酚醛树脂、聚砜、硅素聚合物、BT树脂、氰酸聚酯、聚乙烯、聚碳酸酯树脂、丙烯-丁二烯-苯乙烯共聚合物、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚对苯二甲酸丁二酯树脂、液晶高分子、聚酰胺6、尼龙、共聚聚甲醛、聚苯硫醚以及环状烯烃共聚高分子所组成的群组。

3.如权利要求1的咬合式电路结构，其中该介电层包含多个触媒颗粒。

4.如权利要求3的咬合式电路结构，其中这些触媒颗粒包括多个纳米颗粒。

5.如权利要求3的咬合式电路结构，其中这些触媒颗粒的材料包括过渡金属的配位化合物。

6.如权利要求5的咬合式电路结构，其中该过渡金属的配位化合物选自于由过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属错合物、过渡金属螯合物及上述材料的组合所组成的群组。

7.如权利要求1的咬合式电路结构，其中该导电材料嵌入该沟槽中的深度范围为介于该导电材料总高度的1％至70％之间。

8.一种形成咬合式电路结构的方法，包含：

提供基材，该基材另包含位于其上的介电层：

图案化该介电层以形成沟槽；

将导电材料填入该沟槽并与该沟槽咬合；

移除一部分介电层使得该导电材料部分嵌入于该沟槽中并部分突出于该沟槽外。

9.如权利要求8的形成咬合式电路结构的方法，其中该介电层包含多个 触媒颗粒。

10.如权利要求9的形成咬合式电路结构的方法，其中这些触媒颗粒包括多个纳米颗粒。

11.如权利要求9的形成咬合式电路结构的方法，其中这些触媒颗粒的材料包括过渡金属的配位化合物。

12.如权利要求11的形成咬合式电路结构的方法，其中该过渡金属的配位化合物选自于由过渡金属氧化物、过渡金属氮化物、过渡金属错合物以及过渡金属螯合物所组成的群组。

13.如权利要求8的形成咬合式电路结构的方法，其中使用物理方法来图案化该介电层，其中该物理方法包括激光烧蚀工艺、等离子体蚀刻工艺或机械切割工艺。

14.如权利要求8的形成咬合式电路结构的方法，其中使用化学方法来图案化该介电层，其中该化学方法包括氧化还原蚀刻、碱性蚀刻、酸性蚀刻或非质子极性溶剂蚀刻。

15.如权利要求8的形成咬合式电路结构的方法，其中将导电材料填入该沟槽的方法包括无电电镀法。

16.如权利要求8的形成咬合式电路结构的方法，其中该导电材料嵌入该沟槽中的深度范围为介于该导电材料总高度的1％至70％之间。