[发明专利]用于评估反相器的单位延迟时间的建模方法及其装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于评估反相器的单位延迟时间的建模方法及其装置。

背景技术

为了评估晶体管的性能，一般评估包括晶体管的反相器的单位延迟时间。

图1是示出了用于测量反相器的单位延迟时间的反相器电路的图。

参照图1，包括奇数个反相器的环形振荡器用于测量环中反相器的单位延迟时间。

例如，将反相器的单位延迟时间确定为通过如下方式而获得的值，即：将输入信号提供给输入端子，按照在测量位置反相的输出信号来测量一时段，然后将测量得到的时段除以反相器的个数，从而获得该值。

同时，在用于评估反相器的单位延迟时间的建模时，输入实际制造的反相器中包括的晶体管的沟道长度和沟道宽度的实际尺寸，并且基于输入的实际尺寸进行仿真。假设作为晶体管的栅电极来使用的多晶硅片的电阻很小，而在模型中不反映多晶硅片的电阻。

然而，当硅化物工艺未应用于栅电极时，多晶硅片的电阻增加，使得多晶硅片的电阻影响仿真结果的准确度。

图2是示出了环形振荡器的单位反相器的一部分的视图。

参照图2，在单位反相器中，(A)指示部分代表沟道长度，(B)指示部分代表沟道宽度，从(C)到(D)的长度代表栅电极13的长度。源极区中的接触点11设置于栅电极13的一侧上，漏极区中的接触点12设置于栅电极13的另一侧上。

电压从接触点到栅电极而被施加到栅电极13。当硅化物工艺未施加到栅电极时，栅电极13的电阻(也就是多晶硅片的电阻)增加，从而造成依赖于从接触点到栅电极14之间间隔的距离的电压降。

图3是示出了栅电极的电阻和电容的图，其中所述电阻和电容依赖于栅电极从接触点到该栅电极之间间隔的距离，而图4是数学上简化图3的电阻分量和电容分量的图。

通过数学计算，栅电极13具有等效电阻(Req)值和等效电容(Ceq)值，其中Req值约为栅电极13的整个电阻的1/2。

如上所述，栅电极的电阻影响仿真结果。在现有技术中，当仿真反相器的单位延迟时间时，尚未考虑栅电极13的电阻，这造成的问题就是模型的准确度和使用模型进行评估的准确度低于最优。

发明内容

公开内容的实施例提供了一种用于评估反相器的单位延迟时间的建模方法及其装置。

公开内容的实施例提供了一种通过考虑栅电极的电阻来更精确地评估反相器的单位延迟时间的方法及其装置。

根据公开内容的实施例的一种用于评估反相器的单位延迟时间的建模方法包括：导出用于多个反相器的模型，该模型包括作为变量的晶体管的沟道长度、沟道宽度和栅电极电阻；通过将变化量(variation)输入到变量(variable)中来测量延迟时间；并且通过将延迟时间除以反相器个数来确定用于一个反相器的单位延迟时间。

根据公开内容的实施例的一种用于评估反相器的单位延迟时间的建模装置包括计算机可读介质，该计算机可读介质存储用于评估反相器的单位延迟时间的命令，其中这些命令设置用于多个反相器的模型和变量，其中所述变量包括晶体管的沟道长度、沟道宽度和栅电极电阻，并且这些命令包括在将变化量输入到变量中时确定串联连接的反相器的链或环的延迟时间，并且通过将延迟时间除以链或环中的反相器个数来确定反相器的单位延迟时间。

本发明可以更准确地评估反相器的单位延迟时间，从而可以更准确地评估晶体管的特性。

附图说明

图1是示出了用于测量反相器的单位延迟时间的示例反相器电路的图；

图2是示出了环形振荡器的单位反相器的示例部分的图；

图3是示出了栅电极的示例电阻分量和电容分量的图，其中所述电阻分量和电容分量依赖于栅电极与用于栅电极的接触点之间所间隔的距离；

图4是示出了如何数学上简化图3的栅电极的电阻分量和电容分量的图；

图5是示出了根据本发明实施例的用于测量反相器的单位延迟时间的示例装置的图；以及

图6是示出了根据表1、表2和表3的示例结果的视图。

具体实施方式

下文将参照附图详细描述根据公开内容的实施例的用于评估反相器的单位延迟时间的建模方法及其装置。

图5是示出了根据本发明实施例的用于测量反相器的单位延迟时间的示例装置的视图。