[发明专利]传感器模块及其制造方法有效
| 申请号： | 200810185507.3 | 申请日： | 2008-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101459127A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | H·托伊斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/22;H01L23/48;H01L23/544 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 原绍辉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 模块 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.传感器模块，包括：
包含磁性敏感元件的半导体芯片；
多个电连线；
再分布层，电接合到所述多个电连线、所述磁性敏感元件和导体线圈；
封装所述半导体芯片的模压层；
其中再分布层包括一些聚合物层和至少一个夹在两个聚合物层间的金属层；
其中再分布层设置在所述磁性敏感元件和所述电连线之间；以及
其中导体线圈形成在再分布层里。
2.如权利要求1的传感器模块，其中磁性敏感元件包括大磁阻(GMR)元件。
3.如权利要求1的传感器模块，其中磁性敏感元件包括霍尔元件。
4.如权利要求1的传感器模块，其中
再分布层包括加在半导体芯片上的第一聚合物层；和
其中导体线圈被加在第一聚合物层上。
5.如权利要求4的传感器模块，其中再分布层包括加在导体线圈上的第二聚合物层。
6.传感器模块，包括：
包含磁性敏感元件的半导体芯片；
多个电连线；
层板，电接合到所述多个电连线、所述磁性敏感元件和导体线圈；
封装所述半导体芯片的模压层；
其中层板设置在所述磁性敏感元件和所述电连线之间；以及
其中导体线圈形成在层板里。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810185507.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
