[发明专利]传感器模块及其制造方法有效
申请号: | 200810185507.3 | 申请日: | 2008-12-12 |
公开(公告)号: | CN101459127A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | H·托伊斯 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/82 | 分类号: | H01L21/82;H01L27/22;H01L23/48;H01L23/544 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 原绍辉 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 模块 及其 制造 方法 | ||
技术领域和背景技术
某些磁性速度传感器被用来测量磁性齿轮的速度。这类磁性速度 传感器通常包含具有许多磁性传感器元件的集成电路,例如霍尔传感 器元件或xMR传感器元件(例如,GMR-大型磁阻;AMR-各向异 性磁阻;TMR-隧道磁阻;CMR-巨型磁阻)。永久磁体为传感器元 件提供偏置磁场。当轮旋转时,轮齿通过传感器前面并产生小的场变 化,这种变化可用集成电路检测。检测到的场包含有关轮的角向位置 和旋转速度的信息。另一种类型磁性传感器是磁性开关(如霍尔开关), 它可用于折叠式手机内确定手机是开着或已关闭。
人们希望能对磁性传感器进行测试,以帮助确保此传感器正常工 作。测试磁性传感器的方法之一,是利用外部磁芯将测试磁场加到传 感器上,并测量传感器的响应。除了外部设备的费用之外,采用这类 外部磁场源的另一个问题是,磁芯和被测试传感器之间必须精确对准。 位置误差可能使测试结果不准确。
发明内容
一种实施例提供制造传感器模块的方法。此方法包括提供基片, 在它的第一主面上有一阵列磁性敏感元件。在基片第一主面上有一阵 列导线。在基片第一主面上有一阵列电连线。在加上电连线之后将基 片分成独立的小块。
附图说明
所含附图可帮助进一步了解本发明,并与本说明书融合,构成它 的一部分。附图演示本发明各实施例,并与说明一起用来解析本发明 的原理。通过参阅以下详细说明更好地了解本发明,将容易领会它的 其它实施例及许多预期的优点。附图各元件彼此不一定成比例。相似 的参考数字表示相应的类似元件。
图1A-1D是按照一个实施例制造传感器模块的示意图。
图2A-2H是按照另一个实施例制造传感器模块的示意图。
图3是按照一个实施例的一种传感器模块(示于图2H)一部分的 更详细示意图。
图4是按照另一个实施例制造传感器模块的示意图。
图5是按照另一个实施例制造传感器模块的剖视图。
图6是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的底视示意图。
图7是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的底视示意图, 但增加了测试导体。
图8是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的侧视图,及用 测试导体产生磁场的示意图。
图9是按照一个实施例的示于图5的传感器模块的底视图,但增 加了测试导体线圈。
图10是按照一个实施例的多芯片模块剖视图,包括测试导体线圈。
图11是图10所示多芯片模块,及按照一个实施例用测试导体线 圈产生磁场的示意图。
具体实施方式
下面的详细说明参考了构成它的一部分的附图,其中举例展示了 可实施本发明的一些具体实施例。说明中用到的方向性术语,如“顶”, “底”,“前”,“后”,“前沿”,“后尾”等,是对所述图形方 位的参照。由于本发明各实施例的元件可处在一些不同的方位,所用 的方向性术语只是展示性而不是限制性的。应该指出,可以采用其它 的实施例,同时可以作结构上和逻辑上的改变,而不偏离本发明的范 围。因此,不应把下面的详细说明看成是限制性的,而且本发明的范 围是由后面的权利要求书界定。
我们希望对磁性传感器进行测试,以帮助确保传感器正常工作。 一种实施例提供磁性传感器模块(例如,集成电路),它包含至少一 个集成在芯片上的导体,以便在模块的测试模式期间产生磁场。在测 试模式期间加到磁性传感器上的磁场被用来测试该传感器的功能。
图1A-1D是按照一个实施例制造传感器模块的方法示意图。如图 1A所示,提供了一个基片102,在它的第一主面106上包含一阵列磁 性敏感元件104A-104C。如图1B所示,带一阵列导线110-110C的 元件108被加到基片102的第一主面106上。如图1C所示,一阵列 电连线112被加到基片102的第一主面106上。如图1D所示,在加上 电连线112之后,基片102被分成独立的小块,从而形成许多分离的 传感器模块114A-114C。在一个实施例中,电连线112是焊料元件。 在另一个实施例中,电连线112由Au,Cu,Ni,AuSn,或CuSn制成。 在还有一个实施例中,电连线112是用Sn帽盖住的Cu或Au接线柱。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造