[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200810186162.3 | 申请日: | 2008-12-19 |
公开(公告)号: | CN101465367A | 公开(公告)日: | 2009-06-24 |
发明(设计)人: | 南宫晟泰;李亨燮 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司;ADS有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/00;H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孟 锐 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,其包括:
显示装置层,其安置在衬底的一个表面上;
钝化层,其安置在所述显示装置层上;
间隔件,其沿所述钝化层的顶部边缘周边形成;
囊封层,其经配置以囊封所述显示装置层、所述钝化层和所述间隔件;以及
流体缓冲层,其安置在所述钝化层的顶部与所述囊封层之间,所述流体缓冲 层填充到所述间隔物界定的内部空间中。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述缓冲层由非挥发性材料形成。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中使用液晶、溶胶和凝胶中的至少一者形 成所述缓冲层。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中使用溶胶或凝胶类型的SiO2、ZrO2和 GeO2-SiO2中的至少一者形成所述缓冲层。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述钝化层包括无机材料、可涂覆高分 子有机材料以及可沉积低分子有机材料中的至少一者。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中所述无机材料包括SiO2、Al2O3、AlON、 AlN、Si3N4、SiON和MgO中的至少一者。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述显示装置层包括液晶显示层、等离 子体显示层以及有机发射层中的一者,且所述囊封层包括覆盖所述间隔物顶部 的顶部部分和覆盖所述显示装置层、所述钝化层及所述间隔件侧部的侧部部分。
8.一种制造显示装置的方法,其包括:
在衬底的一个表面上形成显示装置层;
在所述显示装置层上形成钝化层;
制备杯形囊封层;
沿所述钝化层的顶部边缘和所述囊封层内部空间的底部边缘中的至少一者形 成间隔件;
将流体材料填充到所述间隔件的内部空间;以及
将所述显示装置层插入所述囊封层的内部空间中,所述钝化层和所述间隔件 安置在所述显示装置层上。
9.一种制造显示装置的方法,其包括:
在衬底的一个表面上形成显示装置层;
在所述显示装置层上形成钝化层;
制备杯形囊封层;
沿所述囊封层的内部空间的底部边缘形成间隔件;
将流体材料填充到所述间隔件的内部空间,所述间隔件安置在所述囊封层中;
将所述显示装置层插入所述囊封层的所述内部空间中,所述钝化层安置在所 述显示装置层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的